Growth and luminescent properties of Lu2SiO5:Ce and (Lu1-xGdx)2SiO5 single crystalline films

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F11%3A00375736" target="_blank" >RIV/68378271:_____/11:00375736 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2011.10.003" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2011.10.003</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2011.10.003" target="_blank" >10.1016/j.jcrysgro.2011.10.003</a>

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Growth and luminescent properties of Lu2SiO5:Ce and (Lu1-xGdx)2SiO5 single crystalline films
Popis výsledku v původním jazyce
Single crystalline films of LSO:CE, LGSO:CE and LGSO:Ce, Tb orthosilicates with thckness of 2.5 - 21 ? were prepared by liquid phase epitaxy method. Their luminescent and scintillation properties were investigated.
Název v anglickém jazyce
Growth and luminescent properties of Lu2SiO5:Ce and (Lu1-xGdx)2SiO5 single crystalline films
Popis výsledku anglicky
Single crystalline films of LSO:CE, LGSO:CE and LGSO:Ce, Tb orthosilicates with thckness of 2.5 - 21 ? were prepared by liquid phase epitaxy method. Their luminescent and scintillation properties were investigated.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—

Projekt
<a href="/cs/project/GA202%2F08%2F0893" target="_blank" >GA202/08/0893: Nové materiály a technologie pro přípravu tenkovrstvých scintilátorů</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2011
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)