Slow-Polishing Iodine-Based Etchant for CdTe and CdZnTe Single Crystals
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F12%3A10127045" target="_blank" >RIV/00216208:11320/12:10127045 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1007/s11664-012-2001-1" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1007/s11664-012-2001-1</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1007/s11664-012-2001-1" target="_blank" >10.1007/s11664-012-2001-1</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Slow-Polishing Iodine-Based Etchant for CdTe and CdZnTe Single Crystals
Popis výsledku v původním jazyce
We report on new etching solutions for treatment of CdTe and CdZnTe surfaces based on the iodine-emerging etchant composition KIO3-KI-citric acid (C6H8O7). CdTe samples with (111), (110), and (100) orientations, and also Cd1-x Zn (x) Te (x = 0.04, 0.1) samples with (111), (110), (100), and (211) orientations were investigated. The dissolution rate was determined as a function of solution composition, etchant storage time, disc rotation speed, and temperature. It was established that this chemical dissolution is diffusion controlled. Study of the chemical composition and structure of (211)B Cd1-x Zn (x) Te surfaces etched under different conditions was carried out. x-Ray photoelectron spectroscopy measurements showed that a stoichiometric surface was achieved after briefly heating the etched surface in a vacuum. Reflection high-energy electron diffraction measurements revealed a high-quality single-crystalline surface layer in samples etched with KIO3-KI-citric acid solutions as compare
Název v anglickém jazyce
Slow-Polishing Iodine-Based Etchant for CdTe and CdZnTe Single Crystals
Popis výsledku anglicky
We report on new etching solutions for treatment of CdTe and CdZnTe surfaces based on the iodine-emerging etchant composition KIO3-KI-citric acid (C6H8O7). CdTe samples with (111), (110), and (100) orientations, and also Cd1-x Zn (x) Te (x = 0.04, 0.1) samples with (111), (110), (100), and (211) orientations were investigated. The dissolution rate was determined as a function of solution composition, etchant storage time, disc rotation speed, and temperature. It was established that this chemical dissolution is diffusion controlled. Study of the chemical composition and structure of (211)B Cd1-x Zn (x) Te surfaces etched under different conditions was carried out. x-Ray photoelectron spectroscopy measurements showed that a stoichiometric surface was achieved after briefly heating the etched surface in a vacuum. Reflection high-energy electron diffraction measurements revealed a high-quality single-crystalline surface layer in samples etched with KIO3-KI-citric acid solutions as compare
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GAP102%2F10%2F0148" target="_blank" >GAP102/10/0148: Vliv inkluzí Te na účinnost radiačních detektorů CdTe a CdZnTe</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Journal of Electronic Materials
ISSN
0361-5235
e-ISSN
—
Svazek periodika
41
Číslo periodika v rámci svazku
10
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
8
Strana od-do
2838-2845
Kód UT WoS článku
000308655500028
EID výsledku v databázi Scopus
—