Nanometer-Range Strain Distribution in Layered Incommensurate Systems
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F12%3A10131343" target="_blank" >RIV/00216208:11320/12:10131343 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.109.266102" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.109.266102</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.109.266102" target="_blank" >10.1103/PhysRevLett.109.266102</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Nanometer-Range Strain Distribution in Layered Incommensurate Systems
Popis výsledku v původním jazyce
We adopt fringe counting from classical moire interferometry on moire patterns observed in scanning tunneling microscopy of strained thin films on single crystalline substrates. We analyze inhomogeneous strain distribution in islands of CeO2(111) on Cu(111) and identify a generic source of strain in heteroepitaxy-a thickness-dependent lattice constant of the growing film. This observation is mediated by the ability of ceria to glide on the Cu substrate. The moire technique we are describing has a potential of nanometer-scale resolution of inhomogeneous two dimensional strain in incommensurate layered systems, notably in supported graphene.
Název v anglickém jazyce
Nanometer-Range Strain Distribution in Layered Incommensurate Systems
Popis výsledku anglicky
We adopt fringe counting from classical moire interferometry on moire patterns observed in scanning tunneling microscopy of strained thin films on single crystalline substrates. We analyze inhomogeneous strain distribution in islands of CeO2(111) on Cu(111) and identify a generic source of strain in heteroepitaxy-a thickness-dependent lattice constant of the growing film. This observation is mediated by the ability of ceria to glide on the Cu substrate. The moire technique we are describing has a potential of nanometer-scale resolution of inhomogeneous two dimensional strain in incommensurate layered systems, notably in supported graphene.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach
Ostatní
Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Physical Review Letters
ISSN
0031-9007
e-ISSN
—
Svazek periodika
109
Číslo periodika v rámci svazku
26
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
—
Kód UT WoS článku
000312846800019
EID výsledku v databázi Scopus
—