Electric field response to infrared illumination in CdTe/CdZnTe detectors

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F14%3A10272518" target="_blank" >RIV/00216208:11320/14:10272518 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/9/04/C04038" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/9/04/C04038</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/9/04/C04038" target="_blank" >10.1088/1748-0221/9/04/C04038</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Electric field response to infrared illumination in CdTe/CdZnTe detectors

Popis výsledku v původním jazyce

We investigated the Pockels electro-optic effect in semi-insulating detector-grade cadmium telluride doped with indium without and with a high optical flux. We employed the Pockels electro-optic effect setup with two perpendicular sources of light. We observed that without illumination positive space charge is present in the sample due to band bending at the CdTe/Au interface. After illumination with above-bandgap red light the electric field became less distorted due to filling of the ionized donors with trapped electrons. We found the energy levels of electron traps in detector-grade CdTe at approximately 0.7 eV, 0.85 eV and 1.1 eV below the conduction band.

Název v anglickém jazyce

Electric field response to infrared illumination in CdTe/CdZnTe detectors

Popis výsledku anglicky

We investigated the Pockels electro-optic effect in semi-insulating detector-grade cadmium telluride doped with indium without and with a high optical flux. We employed the Pockels electro-optic effect setup with two perpendicular sources of light. We observed that without illumination positive space charge is present in the sample due to band bending at the CdTe/Au interface. After illumination with above-bandgap red light the electric field became less distorted due to filling of the ionized donors with trapped electrons. We found the energy levels of electron traps in detector-grade CdTe at approximately 0.7 eV, 0.85 eV and 1.1 eV below the conduction band.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA13-13671S" target="_blank" >GA13-13671S: Detektory Rentgenova záření pro vysoké fotonové toky</a><br>

Návaznosti

S - Specificky vyzkum na vysokych skolach<br>I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Instrumentation

ISSN

1748-0221

e-ISSN

—

Svazek periodika

9

Číslo periodika v rámci svazku

1

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

8

Strana od-do

"C04038"-"C04046"

Kód UT WoS článku

000336123800038

EID výsledku v databázi Scopus

—