Dendritic Growth of Mn on Thallium-passivated Si(111) Surface

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F14%3A10290734" target="_blank" >RIV/00216208:11320/14:10290734 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://www.mff.cuni.cz/veda/konference/wds/proc/pdf14/WDS14_26_f5_Matvija.pdf" target="_blank" >http://www.mff.cuni.cz/veda/konference/wds/proc/pdf14/WDS14_26_f5_Matvija.pdf</a>
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Dendritic Growth of Mn on Thallium-passivated Si(111) Surface
Popis výsledku v původním jazyce
Controlled growth of thin lms on highly reactive silicon surfaces has been a challenge for decades. In our work, we propose a novel use of the Tl (1 1) layer as a passivation medium for further growth of adsorbates. Submonolayer coverages of Mn depositedon the Si(111)=Tl (1 1) surface are studied by means of a room-temperature scanning tunneling microscopy. The growth results in a dendritic shape of islands. A kinetic model describing the growth is proposed.
Název v anglickém jazyce
Dendritic Growth of Mn on Thallium-passivated Si(111) Surface
Popis výsledku anglicky
Controlled growth of thin lms on highly reactive silicon surfaces has been a challenge for decades. In our work, we propose a novel use of the Tl (1 1) layer as a passivation medium for further growth of adsorbates. Submonolayer coverages of Mn depositedon the Si(111)=Tl (1 1) surface are studied by means of a room-temperature scanning tunneling microscopy. The growth results in a dendritic shape of islands. A kinetic model describing the growth is proposed.

Projekt
—
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění
2014
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)