Picosecond dynamics of photoexcited carriers in silicon nanocrystal/Si3N4 superlattices: Presence of K-0 centers
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F15%3A10314721" target="_blank" >RIV/00216208:11320/15:10314721 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.4913717" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1063/1.4913717</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.4913717" target="_blank" >10.1063/1.4913717</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Picosecond dynamics of photoexcited carriers in silicon nanocrystal/Si3N4 superlattices: Presence of K-0 centers
Popis výsledku v původním jazyce
We report in detail on the picosecond dynamics of photoexcited charge carriers in size-controlled silicon nanocrystals in silicon nanocrystal/Si3N4 superlattices. The samples were prepared using plasma enhanced chemical vapor deposition and subsequent thermally induced phase separation. The pump and probe transmission technique was used to monitor directly the initial (picosecond) carrier dynamics. The transient transmission signal (decay time about 2 ps) was found to be independent of the nanocrystal size, pump pulse intensity and wavelength from the interval 400 to 700 nm. The signal is attributed to the dynamics of photoexcited carriers captured on the K-0 centers in Si3N4. (C) 2015 AIP Publishing LLC.
Název v anglickém jazyce
Picosecond dynamics of photoexcited carriers in silicon nanocrystal/Si3N4 superlattices: Presence of K-0 centers
Popis výsledku anglicky
We report in detail on the picosecond dynamics of photoexcited charge carriers in size-controlled silicon nanocrystals in silicon nanocrystal/Si3N4 superlattices. The samples were prepared using plasma enhanced chemical vapor deposition and subsequent thermally induced phase separation. The pump and probe transmission technique was used to monitor directly the initial (picosecond) carrier dynamics. The transient transmission signal (decay time about 2 ps) was found to be independent of the nanocrystal size, pump pulse intensity and wavelength from the interval 400 to 700 nm. The signal is attributed to the dynamics of photoexcited carriers captured on the K-0 centers in Si3N4. (C) 2015 AIP Publishing LLC.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BH - Optika, masery a lasery
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA13-12386S" target="_blank" >GA13-12386S: Fotovodivost a dynamika excitací v nanostrukturovaných a neuspořádaných polovodičích na ultrarychlé časové škále</a><br>
Návaznosti
S - Specificky vyzkum na vysokych skolach
Ostatní
Rok uplatnění
2015
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Journal of Applied Physics
ISSN
0021-8979
e-ISSN
—
Svazek periodika
117
Číslo periodika v rámci svazku
9
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
—
Kód UT WoS článku
000351134400001
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-84924205231