Photoluminescence study of surface treatment effects on detector-grade CdTe:In
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F16%3A10328933" target="_blank" >RIV/00216208:11320/16:10328933 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/31/2/025014" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/31/2/025014</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/31/2/025014" target="_blank" >10.1088/0268-1242/31/2/025014</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Photoluminescence study of surface treatment effects on detector-grade CdTe:In
Popis výsledku v původním jazyce
We studied the influence of standard surface treatment techniques on the generation of defects with deep levels that can act as trapping and recombination centers for photo-generated carriers in detector-grade CdTe:In material grown via the Vertical-Gradient-Freeze (VGF) method. We measured room-temperature contactless resistivity, photoconductivity, detector performance and low-temperature photoluminescence dependence on the surface preparation of the material and observed changes in the resistivity and photoluminescence signal after etching a 5 mu m thick surface layer. We found four deep levels in the range of 0.8-1.3 eV. The relative ratio of their photoluminescence maxima changes after mechanical polishing and chemical etching treatment. A deep level at similar to 0.9 eV seems to be connected to mechanical stress induced by polishing of the sample with a standard 1 mu m alumina abrasive and influences the charge collection efficiency of the detector.
Název v anglickém jazyce
Photoluminescence study of surface treatment effects on detector-grade CdTe:In
Popis výsledku anglicky
We studied the influence of standard surface treatment techniques on the generation of defects with deep levels that can act as trapping and recombination centers for photo-generated carriers in detector-grade CdTe:In material grown via the Vertical-Gradient-Freeze (VGF) method. We measured room-temperature contactless resistivity, photoconductivity, detector performance and low-temperature photoluminescence dependence on the surface preparation of the material and observed changes in the resistivity and photoluminescence signal after etching a 5 mu m thick surface layer. We found four deep levels in the range of 0.8-1.3 eV. The relative ratio of their photoluminescence maxima changes after mechanical polishing and chemical etching treatment. A deep level at similar to 0.9 eV seems to be connected to mechanical stress induced by polishing of the sample with a standard 1 mu m alumina abrasive and influences the charge collection efficiency of the detector.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA15-05259S" target="_blank" >GA15-05259S: Pasivace povrchů CdTe/CdZnTe detektorů záření.</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2016
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Semiconductor Science and Technology
ISSN
0268-1242
e-ISSN
—
Svazek periodika
31
Číslo periodika v rámci svazku
2
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
7
Strana od-do
—
Kód UT WoS článku
000372412900016
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-84955462147