Contactless resistivity and photoconductivity correlation to surface preparation of CdZnTe

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F14%3A10283177" target="_blank" >RIV/00216208:11320/14:10283177 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2014.07.104" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2014.07.104</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2014.07.104" target="_blank" >10.1016/j.apsusc.2014.07.104</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Contactless resistivity and photoconductivity correlation to surface preparation of CdZnTe

Popis výsledku v původním jazyce

We investigated the influence of lapping, polishing and chemical etching of semi-insulating CdZnTe by the contactless resistivity and photoconductivity method. This method can determine the sample parameters independent of the type and quality of the metallization. We observed that the evaluated sample resistivity varies with the surface preparation method up to a factor of two. The photoconductivity anti-correlates with resistivity and it changes strongly within one order of magnitude. We determined acorrelation between surface roughness, oxide layer thickness and material resistivity. Deviation of the trends is visible with surface preparation by chemical etching. We propose an optimal surface treatment to maximize the resistivity and thus to decrease the dark current. (C) 2014 Elsevier B.V. All rights reserved.

Název v anglickém jazyce

Contactless resistivity and photoconductivity correlation to surface preparation of CdZnTe

Popis výsledku anglicky

We investigated the influence of lapping, polishing and chemical etching of semi-insulating CdZnTe by the contactless resistivity and photoconductivity method. This method can determine the sample parameters independent of the type and quality of the metallization. We observed that the evaluated sample resistivity varies with the surface preparation method up to a factor of two. The photoconductivity anti-correlates with resistivity and it changes strongly within one order of magnitude. We determined acorrelation between surface roughness, oxide layer thickness and material resistivity. Deviation of the trends is visible with surface preparation by chemical etching. We propose an optimal surface treatment to maximize the resistivity and thus to decrease the dark current. (C) 2014 Elsevier B.V. All rights reserved.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA13-13671S" target="_blank" >GA13-13671S: Detektory Rentgenova záření pro vysoké fotonové toky</a><br>

Návaznosti

S - Specificky vyzkum na vysokych skolach<br>I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Applied Surface Science

ISSN

0169-4332

e-ISSN

—

Svazek periodika

315

Číslo periodika v rámci svazku

Neuveden

Stát vydavatele periodika

NL - Nizozemsko

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

144-148

Kód UT WoS článku

000342360300022

EID výsledku v databázi Scopus

—