Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Electrical properties of In or Ga-saturated CdTe crystals at high-temperature point defect equilibrium

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F16%3A10328941" target="_blank" >RIV/00216208:11320/16:10328941 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2015.12.212" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2015.12.212</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2015.12.212" target="_blank" >10.1016/j.jallcom.2015.12.212</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Electrical properties of In or Ga-saturated CdTe crystals at high-temperature point defect equilibrium

  • Popis výsledku v původním jazyce

    High temperature Hall effect measurements between 873 and 1073 K in CdTe single crystals, heavily doped by In or Ga at maximal Cd partial vapor pressure were performed. The free electron density results were compared with respective values, obtained by numerical simulation, with satisfactory agreement. The analysis of experimental free electron density values at high-temperature point defect equilibrium allowed performing thermodynamic calculations ascertaining the position of the doubly negatively charged Cd vacancy donor in the CdTe band gap, lying at similar to E-C 0.8 eV.

  • Název v anglickém jazyce

    Electrical properties of In or Ga-saturated CdTe crystals at high-temperature point defect equilibrium

  • Popis výsledku anglicky

    High temperature Hall effect measurements between 873 and 1073 K in CdTe single crystals, heavily doped by In or Ga at maximal Cd partial vapor pressure were performed. The free electron density results were compared with respective values, obtained by numerical simulation, with satisfactory agreement. The analysis of experimental free electron density values at high-temperature point defect equilibrium allowed performing thermodynamic calculations ascertaining the position of the doubly negatively charged Cd vacancy donor in the CdTe band gap, lying at similar to E-C 0.8 eV.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2016

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Journal of Alloys and Compounds

  • ISSN

    0925-8388

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    664

  • Číslo periodika v rámci svazku

    1

  • Stát vydavatele periodika

    CH - Švýcarská konfederace

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

    499-502

  • Kód UT WoS článku

    000369061700065

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-84954167293