Electrical properties of In or Ga-saturated CdTe crystals at high-temperature point defect equilibrium
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F16%3A10328941" target="_blank" >RIV/00216208:11320/16:10328941 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2015.12.212" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2015.12.212</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2015.12.212" target="_blank" >10.1016/j.jallcom.2015.12.212</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Electrical properties of In or Ga-saturated CdTe crystals at high-temperature point defect equilibrium
Popis výsledku v původním jazyce
High temperature Hall effect measurements between 873 and 1073 K in CdTe single crystals, heavily doped by In or Ga at maximal Cd partial vapor pressure were performed. The free electron density results were compared with respective values, obtained by numerical simulation, with satisfactory agreement. The analysis of experimental free electron density values at high-temperature point defect equilibrium allowed performing thermodynamic calculations ascertaining the position of the doubly negatively charged Cd vacancy donor in the CdTe band gap, lying at similar to E-C 0.8 eV.
Název v anglickém jazyce
Electrical properties of In or Ga-saturated CdTe crystals at high-temperature point defect equilibrium
Popis výsledku anglicky
High temperature Hall effect measurements between 873 and 1073 K in CdTe single crystals, heavily doped by In or Ga at maximal Cd partial vapor pressure were performed. The free electron density results were compared with respective values, obtained by numerical simulation, with satisfactory agreement. The analysis of experimental free electron density values at high-temperature point defect equilibrium allowed performing thermodynamic calculations ascertaining the position of the doubly negatively charged Cd vacancy donor in the CdTe band gap, lying at similar to E-C 0.8 eV.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2016
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Journal of Alloys and Compounds
ISSN
0925-8388
e-ISSN
—
Svazek periodika
664
Číslo periodika v rámci svazku
1
Stát vydavatele periodika
CH - Švýcarská konfederace
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
499-502
Kód UT WoS článku
000369061700065
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-84954167293