Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Picosecond dynamics of photoexcited carriers in interacting silicon nanocrystals

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F16%3A10330439" target="_blank" >RIV/00216208:11320/16:10330439 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2016.03.121" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2016.03.121</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2016.03.121" target="_blank" >10.1016/j.apsusc.2016.03.121</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Picosecond dynamics of photoexcited carriers in interacting silicon nanocrystals

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The non -radiative Auger carrier recombination plays an important role in physics and the application of semiconductor nanocrystals. Here we report on the effect of inter-nanocrystal carrier interaction on Auger recombination. We prepared a special set of samples containing silicon nanocrystals embedded in silicon oxide with well-defined geometry. The picosecond carrier recombination rate measured by femtosecond pump and probe technique was found to be strongly dependent on the inter-nanocrystal separation. The observed decrease of the decay rate with nanocrystal separation on the nanometer scale is interpreted in terms of the wave function overlap appearing in the relevant matrix element describing the recombination process.

  • Název v anglickém jazyce

    Picosecond dynamics of photoexcited carriers in interacting silicon nanocrystals

  • Popis výsledku anglicky

    The non -radiative Auger carrier recombination plays an important role in physics and the application of semiconductor nanocrystals. Here we report on the effect of inter-nanocrystal carrier interaction on Auger recombination. We prepared a special set of samples containing silicon nanocrystals embedded in silicon oxide with well-defined geometry. The picosecond carrier recombination rate measured by femtosecond pump and probe technique was found to be strongly dependent on the inter-nanocrystal separation. The observed decrease of the decay rate with nanocrystal separation on the nanometer scale is interpreted in terms of the wave function overlap appearing in the relevant matrix element describing the recombination process.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BH - Optika, masery a lasery

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GA13-12386S" target="_blank" >GA13-12386S: Fotovodivost a dynamika excitací v nanostrukturovaných a neuspořádaných polovodičích na ultrarychlé časové škále</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2016

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Applied Surface Science

  • ISSN

    0169-4332

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    377

  • Číslo periodika v rámci svazku

    16 March 2016

  • Stát vydavatele periodika

    NL - Nizozemsko

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

    238-243

  • Kód UT WoS článku

    000376819100031

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-84962432870