Growth of cerium tungstate epitaxial layers: influence of temperature
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F16%3A10334062" target="_blank" >RIV/00216208:11320/16:10334062 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://verso.is.cuni.cz/pub/verso.fpl?fname=obd_publikace_handle&handle=4PBYytjAGF" target="_blank" >https://verso.is.cuni.cz/pub/verso.fpl?fname=obd_publikace_handle&handle=4PBYytjAGF</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1002/sia.5916" target="_blank" >10.1002/sia.5916</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Growth of cerium tungstate epitaxial layers: influence of temperature
Popis výsledku v původním jazyce
Thin films of cerium tungstate prepared in situ by cerium deposition in oxygen atmosphere onto the W(100) single-crystal were investigated by means of photoelectron spectroscopy and low-energy electron diffraction (LEED). The studied temperature range was 173-1073 K. It was found that the temperature necessary for the oriented growth of Ce6WO12(100) was 673 K, and at higher temperatures, the LEED pattern improved. Photoemission data revealed the partial formation of CeO2 on the surface at preparation temperatures below 473 K due to limited diffusion of tungsten atoms from the substrate.
Název v anglickém jazyce
Growth of cerium tungstate epitaxial layers: influence of temperature
Popis výsledku anglicky
Thin films of cerium tungstate prepared in situ by cerium deposition in oxygen atmosphere onto the W(100) single-crystal were investigated by means of photoelectron spectroscopy and low-energy electron diffraction (LEED). The studied temperature range was 173-1073 K. It was found that the temperature necessary for the oriented growth of Ce6WO12(100) was 673 K, and at higher temperatures, the LEED pattern improved. Photoemission data revealed the partial formation of CeO2 on the surface at preparation temperatures below 473 K due to limited diffusion of tungsten atoms from the substrate.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10305 - Fluids and plasma physics (including surface physics)
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/LM2015057" target="_blank" >LM2015057: Laboratoř fyziky povrchů – Optická dráha pro výzkum materiálů</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2016
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Surface and Interface Analysis
ISSN
0142-2421
e-ISSN
—
Svazek periodika
48
Číslo periodika v rámci svazku
2
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
111-114
Kód UT WoS článku
000369871900008
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-84956664286