Growth of cerium tungstate epitaxial layers: influence of temperature

Kód výsledku v IS VaVaI

RIV/00216208:11320/16:10334062 - isvavai.cz

Výsledek na webu

https://verso.is.cuni.cz/pub/verso.fpl?fname=obd_publikace_handle&handle=4PBYytjAGF

DOI - Digital Object Identifier

10.1002/sia.5916

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Growth of cerium tungstate epitaxial layers: influence of temperature

Popis výsledku v původním jazyce

Thin films of cerium tungstate prepared in situ by cerium deposition in oxygen atmosphere onto the W(100) single-crystal were investigated by means of photoelectron spectroscopy and low-energy electron diffraction (LEED). The studied temperature range was 173-1073 K. It was found that the temperature necessary for the oriented growth of Ce6WO12(100) was 673 K, and at higher temperatures, the LEED pattern improved. Photoemission data revealed the partial formation of CeO2 on the surface at preparation temperatures below 473 K due to limited diffusion of tungsten atoms from the substrate.

Název v anglickém jazyce

Growth of cerium tungstate epitaxial layers: influence of temperature

Popis výsledku anglicky

Thin films of cerium tungstate prepared in situ by cerium deposition in oxygen atmosphere onto the W(100) single-crystal were investigated by means of photoelectron spectroscopy and low-energy electron diffraction (LEED). The studied temperature range was 173-1073 K. It was found that the temperature necessary for the oriented growth of Ce6WO12(100) was 673 K, and at higher temperatures, the LEED pattern improved. Photoemission data revealed the partial formation of CeO2 on the surface at preparation temperatures below 473 K due to limited diffusion of tungsten atoms from the substrate.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

10305 - Fluids and plasma physics (including surface physics)

Projekt

LM2015057: Laboratoř fyziky povrchů – Optická dráha pro výzkum materiálů

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2016

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Surface and Interface Analysis

ISSN

0142-2421

e-ISSN

—

Svazek periodika

48

Číslo periodika v rámci svazku

2

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

111-114

Kód UT WoS článku

000369871900008

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-84956664286