Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

A route to continuous ultra-thin cerium oxide films on Cu(1 1 1)

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F09%3A00206339" target="_blank" >RIV/00216208:11320/09:00206339 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    A route to continuous ultra-thin cerium oxide films on Cu(1 1 1)

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Cerium oxide deposited by physical vapor deposition of cerium in an oxygen atmosphere on Cu(111) surface growth epitaxially with CeO2(1 1 1) plane parallel to the Cu(111) plane. The growth and morphology of CeO2(1 1 1) films were investigated by means oflow energy electron diffraction (LEED) and scanning tunneling microscopy (STM). LEED shows good long range ordering and STM reveals a three-dimensional growth mode (Vollmer-Weber) with formation of a closed film only at larger thickness. Closed and atomically flat ceria films of larger thickness (3 ML) are obtained by applying a multistep preparation procedure, in which successive ceria layers are homoepitaxially grown on this initial film. The ceria films show similarities with the morphology of CeO2(1 1 1) single crystal surfaces, suggesting the possibility to model bulk ceria by thin film systems.

  • Název v anglickém jazyce

    A route to continuous ultra-thin cerium oxide films on Cu(1 1 1)

  • Popis výsledku anglicky

    Cerium oxide deposited by physical vapor deposition of cerium in an oxygen atmosphere on Cu(111) surface growth epitaxially with CeO2(1 1 1) plane parallel to the Cu(111) plane. The growth and morphology of CeO2(1 1 1) films were investigated by means oflow energy electron diffraction (LEED) and scanning tunneling microscopy (STM). LEED shows good long range ordering and STM reveals a three-dimensional growth mode (Vollmer-Weber) with formation of a closed film only at larger thickness. Closed and atomically flat ceria films of larger thickness (3 ML) are obtained by applying a multistep preparation procedure, in which successive ceria layers are homoepitaxially grown on this initial film. The ceria films show similarities with the morphology of CeO2(1 1 1) single crystal surfaces, suggesting the possibility to model bulk ceria by thin film systems.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2009

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Surface Science

  • ISSN

    0039-6028

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    603

  • Číslo periodika v rámci svazku

    23

  • Stát vydavatele periodika

    NL - Nizozemsko

  • Počet stran výsledku

    7

  • Strana od-do

  • Kód UT WoS článku

    000272431600009

  • EID výsledku v databázi Scopus