Optimisation of Ion Beam Etching Process for Fabrication of CoFeB/MgO Magnetic Tunnel Junctions

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F16%3A10334532" target="_blank" >RIV/00216208:11320/16:10334532 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://www.mff.cuni.cz/veda/konference/wds/proc/pdf16/WDS16_25_f2_Zanaska.pdf" target="_blank" >http://www.mff.cuni.cz/veda/konference/wds/proc/pdf16/WDS16_25_f2_Zanaska.pdf</a>
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Optimisation of Ion Beam Etching Process for Fabrication of CoFeB/MgO Magnetic Tunnel Junctions
Popis výsledku v původním jazyce
. We present results on CoFeB/MgO/CoFeB pseudo-spin-valve magnetic tunnel junctions (MTJ) with particular focus on the ion beam etching process of the pillars. The samples were etched at the angle of 45o using different photoresist layer thicknesses, which significantly influences the resulting tunnel magnetoresistance ratio (TMR) and junction stability. The shape of the resulting pillars was investigated by AFM. In-plane TMRs of 270-276 % were reproducibly achieved at room temperature.
Název v anglickém jazyce
Optimisation of Ion Beam Etching Process for Fabrication of CoFeB/MgO Magnetic Tunnel Junctions
Popis výsledku anglicky
. We present results on CoFeB/MgO/CoFeB pseudo-spin-valve magnetic tunnel junctions (MTJ) with particular focus on the ion beam etching process of the pillars. The samples were etched at the angle of 45o using different photoresist layer thicknesses, which significantly influences the resulting tunnel magnetoresistance ratio (TMR) and junction stability. The shape of the resulting pillars was investigated by AFM. In-plane TMRs of 270-276 % were reproducibly achieved at room temperature.

Rok uplatnění
2016
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)