High-resolution x-ray diffraction of epitaxial bismuth chalcogenide topological insulator layers
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F17%3A10369242" target="_blank" >RIV/00216208:11320/17:10369242 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1088/2043-6254/aa5953" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1088/2043-6254/aa5953</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1088/2043-6254/aa5953" target="_blank" >10.1088/2043-6254/aa5953</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
High-resolution x-ray diffraction of epitaxial bismuth chalcogenide topological insulator layers
Popis výsledku v původním jazyce
Stoichiometry and lattice structure of epitaxial layers of topological insulators Bi2Te3 and Bi2Se3 grown by molecular-beam epitaxy is studied by high-resolution x-ray diffraction. We show that the stoichiometry of Bi2X3 - δ (X = Te, Se) epitaxial layers depends on the additional flux of the chalcogens Te or Se during growth. If no excess flux is employed, the resulting structure is very close to Bi1X1 (δ = 1), whereas with a high excess flux the stoichiometric Bi2X3 phase is obtained. From the x-ray data we determined the lattice parameters of the layers and their dependence on composition δ, as well as the degree of crystal quality of the layers.
Název v anglickém jazyce
High-resolution x-ray diffraction of epitaxial bismuth chalcogenide topological insulator layers
Popis výsledku anglicky
Stoichiometry and lattice structure of epitaxial layers of topological insulators Bi2Te3 and Bi2Se3 grown by molecular-beam epitaxy is studied by high-resolution x-ray diffraction. We show that the stoichiometry of Bi2X3 - δ (X = Te, Se) epitaxial layers depends on the additional flux of the chalcogens Te or Se during growth. If no excess flux is employed, the resulting structure is very close to Bi1X1 (δ = 1), whereas with a high excess flux the stoichiometric Bi2X3 phase is obtained. From the x-ray data we determined the lattice parameters of the layers and their dependence on composition δ, as well as the degree of crystal quality of the layers.
Klasifikace
Druh
J<sub>SC</sub> - Článek v periodiku v databázi SCOPUS
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA14-08124S" target="_blank" >GA14-08124S: Rtg difraktometrie s vysokým rozlišením náhodných vrstevnatých systémů</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2017
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Advances in Natural Sciences: Nanoscience and Nanotechnology [online]
ISSN
2043-6262
e-ISSN
—
Svazek periodika
8
Číslo periodika v rámci svazku
1
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
1-6
Kód UT WoS článku
—
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85014860916