Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Characterization of polarizing semiconductor radiation detectors by laser-induced transient currents

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F17%3A10369827" target="_blank" >RIV/00216208:11320/17:10369827 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/68081723:_____/17:00495539

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.4997404" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1063/1.4997404</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.4997404" target="_blank" >10.1063/1.4997404</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Characterization of polarizing semiconductor radiation detectors by laser-induced transient currents

  • Popis výsledku v původním jazyce

    A method is presented for the determination of the carrier drift mobility, lifetime, electric field distribution, and the dynamics of space charge formation, including the detrapping energy and capture cross-section of the dominant trap level in polarizing semiconductor radiation detectors. The procedure stems from the laser-induced transient current measurements done at a steady-state and pulsed biasing and at variable temperature. The approach allows us the direct determination of detector parameters from measured data without a complex mathematical treatment. The detrimental effect of surface carrier recombination often hampering the evaluation of detector properties is eliminated. Lifetime worsening caused by the space charge formation is included. The usefulness of the procedure is demonstrated on a CdTe radiation detector. Published by AIP Publishing.

  • Název v anglickém jazyce

    Characterization of polarizing semiconductor radiation detectors by laser-induced transient currents

  • Popis výsledku anglicky

    A method is presented for the determination of the carrier drift mobility, lifetime, electric field distribution, and the dynamics of space charge formation, including the detrapping energy and capture cross-section of the dominant trap level in polarizing semiconductor radiation detectors. The procedure stems from the laser-induced transient current measurements done at a steady-state and pulsed biasing and at variable temperature. The approach allows us the direct determination of detector parameters from measured data without a complex mathematical treatment. The detrimental effect of surface carrier recombination often hampering the evaluation of detector properties is eliminated. Lifetime worsening caused by the space charge formation is included. The usefulness of the procedure is demonstrated on a CdTe radiation detector. Published by AIP Publishing.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GA16-23165S" target="_blank" >GA16-23165S: Příprava elektrických kontaktů na detektorech záření CdTe a CdZnTe</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2017

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Applied Physics Letters

  • ISSN

    0003-6951

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    111

  • Číslo periodika v rámci svazku

    8

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

  • Kód UT WoS článku

    000408570000013

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85028539418