Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Thickness of sublimation grown SiC layers measured by scanning Raman spectroscopy

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F19%3A10399604" target="_blank" >RIV/00216208:11320/19:10399604 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/00216305:26620/19:PU144261

  • Výsledek na webu

    <a href="https://verso.is.cuni.cz/pub/verso.fpl?fname=obd_publikace_handle&handle=qUqauhl3Gy" target="_blank" >https://verso.is.cuni.cz/pub/verso.fpl?fname=obd_publikace_handle&handle=qUqauhl3Gy</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2019.02.305" target="_blank" >10.1016/j.jallcom.2019.02.305</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Thickness of sublimation grown SiC layers measured by scanning Raman spectroscopy

  • Popis výsledku v původním jazyce

    We have grown homoepitaxial high resistivity SiC layers on conducting SiC substrates. We develop a method to determine the thickness of grown layers by scanning confocal Raman spectroscopy (SCRS). We also grow epitaxial graphene on SiC layers to label the top sample surface, and, we correlate the top surface position with Rayleigh scattering (RS). The interface between the high resistivity SiC layer and conductive SiC substrate is probed by the transition from LO phonon to the coupled LO phonon-plasmon Raman mode. The layer thickness measurements are verified by ellipsometry and Secondary Ion Mass Spectroscopy (SIMS). We show that the SCRS method provides superior lateral and vertical resolution, it is robust against errorneous conclusions based on ad-hoc models, and it is easy to implement. (C) 2019 Elsevier B.V. All rights reserved.

  • Název v anglickém jazyce

    Thickness of sublimation grown SiC layers measured by scanning Raman spectroscopy

  • Popis výsledku anglicky

    We have grown homoepitaxial high resistivity SiC layers on conducting SiC substrates. We develop a method to determine the thickness of grown layers by scanning confocal Raman spectroscopy (SCRS). We also grow epitaxial graphene on SiC layers to label the top sample surface, and, we correlate the top surface position with Rayleigh scattering (RS). The interface between the high resistivity SiC layer and conductive SiC substrate is probed by the transition from LO phonon to the coupled LO phonon-plasmon Raman mode. The layer thickness measurements are verified by ellipsometry and Secondary Ion Mass Spectroscopy (SIMS). We show that the SCRS method provides superior lateral and vertical resolution, it is robust against errorneous conclusions based on ad-hoc models, and it is easy to implement. (C) 2019 Elsevier B.V. All rights reserved.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2019

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Journal of Alloys and Compounds

  • ISSN

    0925-8388

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    789

  • Číslo periodika v rámci svazku

    789

  • Stát vydavatele periodika

    CH - Švýcarská konfederace

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

    607-612

  • Kód UT WoS článku

    000464542700070

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85062683720