Thickness of sublimation grown SiC layers measured by scanning Raman spectroscopy

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F19%3A10399604" target="_blank" >RIV/00216208:11320/19:10399604 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/00216305:26620/19:PU144261

Výsledek na webu

<a href="https://verso.is.cuni.cz/pub/verso.fpl?fname=obd_publikace_handle&handle=qUqauhl3Gy" target="_blank" >https://verso.is.cuni.cz/pub/verso.fpl?fname=obd_publikace_handle&handle=qUqauhl3Gy</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2019.02.305" target="_blank" >10.1016/j.jallcom.2019.02.305</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Thickness of sublimation grown SiC layers measured by scanning Raman spectroscopy

Popis výsledku v původním jazyce

We have grown homoepitaxial high resistivity SiC layers on conducting SiC substrates. We develop a method to determine the thickness of grown layers by scanning confocal Raman spectroscopy (SCRS). We also grow epitaxial graphene on SiC layers to label the top sample surface, and, we correlate the top surface position with Rayleigh scattering (RS). The interface between the high resistivity SiC layer and conductive SiC substrate is probed by the transition from LO phonon to the coupled LO phonon-plasmon Raman mode. The layer thickness measurements are verified by ellipsometry and Secondary Ion Mass Spectroscopy (SIMS). We show that the SCRS method provides superior lateral and vertical resolution, it is robust against errorneous conclusions based on ad-hoc models, and it is easy to implement. (C) 2019 Elsevier B.V. All rights reserved.

Název v anglickém jazyce

Thickness of sublimation grown SiC layers measured by scanning Raman spectroscopy

Popis výsledku anglicky

We have grown homoepitaxial high resistivity SiC layers on conducting SiC substrates. We develop a method to determine the thickness of grown layers by scanning confocal Raman spectroscopy (SCRS). We also grow epitaxial graphene on SiC layers to label the top sample surface, and, we correlate the top surface position with Rayleigh scattering (RS). The interface between the high resistivity SiC layer and conductive SiC substrate is probed by the transition from LO phonon to the coupled LO phonon-plasmon Raman mode. The layer thickness measurements are verified by ellipsometry and Secondary Ion Mass Spectroscopy (SIMS). We show that the SCRS method provides superior lateral and vertical resolution, it is robust against errorneous conclusions based on ad-hoc models, and it is easy to implement. (C) 2019 Elsevier B.V. All rights reserved.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2019

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Alloys and Compounds

ISSN

0925-8388

e-ISSN

—

Svazek periodika

789

Číslo periodika v rámci svazku

789

Stát vydavatele periodika

CH - Švýcarská konfederace

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

607-612

Kód UT WoS článku

000464542700070

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85062683720