ELECTRICAL AND AFM STUDY OF DIFFERENT TYPES OF GRAPHENE

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F11%3A00187518" target="_blank" >RIV/68407700:21230/11:00187518 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://www.nanocon.cz" target="_blank" >http://www.nanocon.cz</a>
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
ELECTRICAL AND AFM STUDY OF DIFFERENT TYPES OF GRAPHENE
Popis výsledku v původním jazyce
We present our results of the atomic force microscope (AFM) surface analysis of graphene layers prepared by different methods. We compared surfaces of exfoliated graphene, graphene grown CVD on copper foil and graphene prepared by high temperature annealing of SiC. The CVD grown graphene layers were characterized electrically. We measured the sheet resistance of the layers in the presence of gate voltage applied on the bottom electrode realized by the conducting silicon substrate isolated by the siliconoxide layer.
Název v anglickém jazyce
ELECTRICAL AND AFM STUDY OF DIFFERENT TYPES OF GRAPHENE
Popis výsledku anglicky
We present our results of the atomic force microscope (AFM) surface analysis of graphene layers prepared by different methods. We compared surfaces of exfoliated graphene, graphene grown CVD on copper foil and graphene prepared by high temperature annealing of SiC. The CVD grown graphene layers were characterized electrically. We measured the sheet resistance of the layers in the presence of gate voltage applied on the bottom electrode realized by the conducting silicon substrate isolated by the siliconoxide layer.

Projekt
<a href="/cs/project/GAP108%2F11%2F0894" target="_blank" >GAP108/11/0894: Růst a zpracování gafenových vrstev na karbidu křemíku</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění
2011
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)