Space charge formation in chromium compensated GaAs radiation detectors
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F20%3A10417395" target="_blank" >RIV/00216208:11320/20:10417395 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://verso.is.cuni.cz/pub/verso.fpl?fname=obd_publikace_handle&handle=1OXa7ZGOF7" target="_blank" >https://verso.is.cuni.cz/pub/verso.fpl?fname=obd_publikace_handle&handle=1OXa7ZGOF7</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1088/1361-6463/aba570" target="_blank" >10.1088/1361-6463/aba570</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Space charge formation in chromium compensated GaAs radiation detectors
Popis výsledku v původním jazyce
Space charge formation in chromium-compensated GaAs sensors is investigated by the laser-induced transient current technique applying pulsed and DC bias. Formation of non-standard space charge manifested by an appearance of both negatively and positively charged regions in DC biased sensors was revealed during 5 ms after switching bias. Using Monte Carlo simulations of current transients we determined enhanced electron lifetime tau= 150 ns and electron drift mobility mu(d)= 3650 cm(2)Vs(-1). We developed and successfully applied a theoretical model based on fast hole trapping in the system with spatially variable hole conductivity.
Název v anglickém jazyce
Space charge formation in chromium compensated GaAs radiation detectors
Popis výsledku anglicky
Space charge formation in chromium-compensated GaAs sensors is investigated by the laser-induced transient current technique applying pulsed and DC bias. Formation of non-standard space charge manifested by an appearance of both negatively and positively charged regions in DC biased sensors was revealed during 5 ms after switching bias. Using Monte Carlo simulations of current transients we determined enhanced electron lifetime tau= 150 ns and electron drift mobility mu(d)= 3650 cm(2)Vs(-1). We developed and successfully applied a theoretical model based on fast hole trapping in the system with spatially variable hole conductivity.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA18-12449S" target="_blank" >GA18-12449S: Transport náboje v SiC detektorech záření.</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2020
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Journal of Physics D - Applied Physics
ISSN
0022-3727
e-ISSN
—
Svazek periodika
53
Číslo periodika v rámci svazku
47
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
8
Strana od-do
475102
Kód UT WoS článku
000566490300001
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85091131882