Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Space charge formation in chromium compensated GaAs radiation detectors

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F20%3A10417395" target="_blank" >RIV/00216208:11320/20:10417395 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="https://verso.is.cuni.cz/pub/verso.fpl?fname=obd_publikace_handle&handle=1OXa7ZGOF7" target="_blank" >https://verso.is.cuni.cz/pub/verso.fpl?fname=obd_publikace_handle&handle=1OXa7ZGOF7</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1088/1361-6463/aba570" target="_blank" >10.1088/1361-6463/aba570</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Space charge formation in chromium compensated GaAs radiation detectors

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Space charge formation in chromium-compensated GaAs sensors is investigated by the laser-induced transient current technique applying pulsed and DC bias. Formation of non-standard space charge manifested by an appearance of both negatively and positively charged regions in DC biased sensors was revealed during 5 ms after switching bias. Using Monte Carlo simulations of current transients we determined enhanced electron lifetime tau= 150 ns and electron drift mobility mu(d)= 3650 cm(2)Vs(-1). We developed and successfully applied a theoretical model based on fast hole trapping in the system with spatially variable hole conductivity.

  • Název v anglickém jazyce

    Space charge formation in chromium compensated GaAs radiation detectors

  • Popis výsledku anglicky

    Space charge formation in chromium-compensated GaAs sensors is investigated by the laser-induced transient current technique applying pulsed and DC bias. Formation of non-standard space charge manifested by an appearance of both negatively and positively charged regions in DC biased sensors was revealed during 5 ms after switching bias. Using Monte Carlo simulations of current transients we determined enhanced electron lifetime tau= 150 ns and electron drift mobility mu(d)= 3650 cm(2)Vs(-1). We developed and successfully applied a theoretical model based on fast hole trapping in the system with spatially variable hole conductivity.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GA18-12449S" target="_blank" >GA18-12449S: Transport náboje v SiC detektorech záření.</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2020

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Journal of Physics D - Applied Physics

  • ISSN

    0022-3727

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    53

  • Číslo periodika v rámci svazku

    47

  • Stát vydavatele periodika

    GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

  • Počet stran výsledku

    8

  • Strana od-do

    475102

  • Kód UT WoS článku

    000566490300001

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85091131882