Low-Temperature Annealing of CdZnTeSe under Bias
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F22%3A10451156" target="_blank" >RIV/00216208:11320/22:10451156 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://verso.is.cuni.cz/pub/verso.fpl?fname=obd_publikace_handle&handle=a~YUPAPhvy" target="_blank" >https://verso.is.cuni.cz/pub/verso.fpl?fname=obd_publikace_handle&handle=a~YUPAPhvy</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.3390/s22010171" target="_blank" >10.3390/s22010171</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Low-Temperature Annealing of CdZnTeSe under Bias
Popis výsledku v původním jazyce
We performed a gradual low-temperature annealing up to 360 K on a CdZnTeSe radiation detector equipped with gold and indium electrodes under bias at both polarities. We observed significant changes in the detector's resistance and space-charge accumulation. This could potentially lead to the control and improvement of the electronic properties of the detector because the changes are accompanied with the reduction in the bulk dark current and surface leakage current. In this article, we present the results of a detailed study of the internal electric field and conductivity changes in CdZnTeSe detector for various annealing steps under bias taking into account different polarities during annealing and subsequent characterization. We observed that low-temperature annealing results in an increase in the barrier height at the contacts that, in general, reduces the dark current and decreases the positive space charge present in the sample compared to the pre-annealed condition.
Název v anglickém jazyce
Low-Temperature Annealing of CdZnTeSe under Bias
Popis výsledku anglicky
We performed a gradual low-temperature annealing up to 360 K on a CdZnTeSe radiation detector equipped with gold and indium electrodes under bias at both polarities. We observed significant changes in the detector's resistance and space-charge accumulation. This could potentially lead to the control and improvement of the electronic properties of the detector because the changes are accompanied with the reduction in the bulk dark current and surface leakage current. In this article, we present the results of a detailed study of the internal electric field and conductivity changes in CdZnTeSe detector for various annealing steps under bias taking into account different polarities during annealing and subsequent characterization. We observed that low-temperature annealing results in an increase in the barrier height at the contacts that, in general, reduces the dark current and decreases the positive space charge present in the sample compared to the pre-annealed condition.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA19-17783S" target="_blank" >GA19-17783S: Fotoplasticita monokrystalů CdTe a CdZnTe v různých experimentálních podmínkách.</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2022
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Sensors
ISSN
1424-8220
e-ISSN
1424-8220
Svazek periodika
22
Číslo periodika v rámci svazku
1
Stát vydavatele periodika
CH - Švýcarská konfederace
Počet stran výsledku
10
Strana od-do
171
Kód UT WoS článku
000741134100001
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85121746458