Optical characterization of thin films with randomly rough boundaries using the photovoltage method

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F00%3A00002318" target="_blank" >RIV/00216224:14310/00:00002318 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Optical characterization of thin films with randomly rough boundaries using the photovoltage method

Popis výsledku v původním jazyce

In this paper the determination of the values of the optical parameters of thin films exhibiting randomly rough boundaries using a photovoltage method is presented. This photovoltage method is based on measuring the radiant flux passing through the filmstudied. Theoretical formulae needed for applying the method are derived. The practical utilization of the method is illustrated by means of characterizing a rough SiO2-film on a silicon single crystal. A correctness of the results achieved for this filmis confirmed by values of the optical parameters of the SiO2-film determined by a combined method of spectroscopic ellipsometry and spectroscopic reflectometry. It will also be shown that the photovoltage method enables us to determine the values of theoptical parameters of the rough thin films with the randomly rough boundaries in a simpler way than the standard optical methods.

Název v anglickém jazyce

Optical characterization of thin films with randomly rough boundaries using the photovoltage method

Popis výsledku anglicky

In this paper the determination of the values of the optical parameters of thin films exhibiting randomly rough boundaries using a photovoltage method is presented. This photovoltage method is based on measuring the radiant flux passing through the filmstudied. Theoretical formulae needed for applying the method are derived. The practical utilization of the method is illustrated by means of characterizing a rough SiO2-film on a silicon single crystal. A correctness of the results achieved for this filmis confirmed by values of the optical parameters of the SiO2-film determined by a combined method of spectroscopic ellipsometry and spectroscopic reflectometry. It will also be shown that the photovoltage method enables us to determine the values of theoptical parameters of the rough thin films with the randomly rough boundaries in a simpler way than the standard optical methods.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2000

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Thin Solid Films

ISSN

0040-6090

e-ISSN

—

Svazek periodika

366

Číslo periodika v rámci svazku

1

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

8

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—