X-ray reflectivity of self-assembled structures in SiGe multilayers and comparison with atomic force microscopy

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F01%3A00005203" target="_blank" >RIV/00216224:14310/01:00005203 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

X-ray reflectivity of self-assembled structures in SiGe multilayers and comparison with atomic force microscopy

Popis výsledku v původním jazyce

We have studied the interface morphology of SiGe/Si multilayers by means of specular and nonspecular x-ray reflectivity under grazing incidence. The samples were grown by molecular beam epitaxy on silicon substrates with (001) surface orientation and with different directions of the surface misorientation. X-ray reflectivity measurements in different azimuths are compared to data from atomic force microscopy, which are used to simulate the x-ray experiments. With this combination of experimental techniques we have determined the structural properties, in particular the ordering of different features present at the sample surface and inside the multilayer at the SiGe/Si layer interfaces.

Název v anglickém jazyce

X-ray reflectivity of self-assembled structures in SiGe multilayers and comparison with atomic force microscopy

Popis výsledku anglicky

We have studied the interface morphology of SiGe/Si multilayers by means of specular and nonspecular x-ray reflectivity under grazing incidence. The samples were grown by molecular beam epitaxy on silicon substrates with (001) surface orientation and with different directions of the surface misorientation. X-ray reflectivity measurements in different azimuths are compared to data from atomic force microscopy, which are used to simulate the x-ray experiments. With this combination of experimental techniques we have determined the structural properties, in particular the ordering of different features present at the sample surface and inside the multilayer at the SiGe/Si layer interfaces.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2001

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Applied Physics

ISSN

0021-8979

e-ISSN

—

Svazek periodika

89

Číslo periodika v rámci svazku

9

Stát vydavatele periodika

CZ - Česká republika

Počet stran výsledku

7

Strana od-do

4836

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—