Depozice nanokystalickéhi diamantu metodou mikrovlnného PECVD s nukleací pomocí rf predpětí

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F06%3A00015900" target="_blank" >RIV/00216224:14310/06:00015900 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/68081731:_____/06:00043825 RIV/00177016:_____/06:#0000305

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Microwave PECVD of nanocrystalline diamond with rf induced bias nucleation

Popis výsledku v původním jazyce

Nanocrystalline diamond film was deposited by microwave CVD in the ASTeX type reactor on a mirror polished (111) oriented n-doped silicon substrate. The deposition mixture consisted of 9 % of methane in hydrogen. The applied microwave power (2.45 GHz) and pressure were 850 W and 7.5 kPa, respectively. The substrate temperature was 1 090 K. The diamond nucleation process was enhanced by rf induced dc self {bias of -125 V. The film exhibited very low roughness (rms of heights 9.1 nm). Its hardness and elastic modules were 70 and 375 GPa, respectively. The optical constants were determined by combination of spectroscopic ellipsometry and reflectometry employing the Rayleigh-Rice theory for the roughness and the dispersion model of optical constants basedon the parameterization of densities of states. The deposition rate was 57 nm/min including the 5 min nucleation step.

Název v anglickém jazyce

Microwave PECVD of nanocrystalline diamond with rf induced bias nucleation

Popis výsledku anglicky

Nanocrystalline diamond film was deposited by microwave CVD in the ASTeX type reactor on a mirror polished (111) oriented n-doped silicon substrate. The deposition mixture consisted of 9 % of methane in hydrogen. The applied microwave power (2.45 GHz) and pressure were 850 W and 7.5 kPa, respectively. The substrate temperature was 1 090 K. The diamond nucleation process was enhanced by rf induced dc self {bias of -125 V. The film exhibited very low roughness (rms of heights 9.1 nm). Its hardness and elastic modules were 70 and 375 GPa, respectively. The optical constants were determined by combination of spectroscopic ellipsometry and reflectometry employing the Rayleigh-Rice theory for the roughness and the dispersion model of optical constants basedon the parameterization of densities of states. The deposition rate was 57 nm/min including the 5 min nucleation step.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BL - Fyzika plasmatu a výboje v plynech

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA202%2F05%2F0607" target="_blank" >GA202/05/0607: Příprava uhlíkových mikro- a nanostruktur plazmovými technologiemi</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2006

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Czechoslovak Journal of Physics B

ISSN

0011-4626

e-ISSN

—

Svazek periodika

56

Číslo periodika v rámci svazku

1

Stát vydavatele periodika

CZ - Česká republika

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

"B1218"-"B1223"

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—