Optická charakterizace ultrananokrystalických diamantových vrstev

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F08%3A00024370" target="_blank" >RIV/00216224:14310/08:00024370 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/00177016:_____/08:#0000298

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Optical Characterization of Ultrananocrystalline Diamond Films

Popis výsledku v původním jazyce

Optical properties of the ultrananocrystalline diamond films were studied by multisample method based on the combination of variable angle spectroscopic ellipsometry and spectroscopic reflectometry applied in the range 0.6-6.5 eV. The films were deposited by PECVD in a conventional bell jar (ASTeX type) reactor using dual frequency discharge, microwave cavity plasma and radio frequency plasma inducing dc self-bias at a substrate holder. The optical model of the samples included a surface roughness described by the Rayleigh-Rice theory and a refractive index profile in which Drude approximation was used. The results conformed with the present understanding of the polycrystalline diamond growth on the silicon substrate because the existence of silicon carbide and amorphous hydrogenated carbon film between the silicon substrate and nucleation layer was proved.

Název v anglickém jazyce

Optical Characterization of Ultrananocrystalline Diamond Films

Popis výsledku anglicky

Optical properties of the ultrananocrystalline diamond films were studied by multisample method based on the combination of variable angle spectroscopic ellipsometry and spectroscopic reflectometry applied in the range 0.6-6.5 eV. The films were deposited by PECVD in a conventional bell jar (ASTeX type) reactor using dual frequency discharge, microwave cavity plasma and radio frequency plasma inducing dc self-bias at a substrate holder. The optical model of the samples included a surface roughness described by the Rayleigh-Rice theory and a refractive index profile in which Drude approximation was used. The results conformed with the present understanding of the polycrystalline diamond growth on the silicon substrate because the existence of silicon carbide and amorphous hydrogenated carbon film between the silicon substrate and nucleation layer was proved.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2008

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Diamond and Related Materials

ISSN

0925-9635

e-ISSN

—

Svazek periodika

17

Číslo periodika v rámci svazku

1

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000259598300048

EID výsledku v databázi Scopus

—