Optické měření mechanického napětí v diamatu podobných vrstvách

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F05%3A00013025" target="_blank" >RIV/00216224:14310/05:00013025 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Optical measurement of mechanical stresses in diamond-like carbon films

Popis výsledku v původním jazyce

In this paper the mechanical stresses taking place in diamond like thin films prepared by the plasma enhanced chemical vapor deposition onto silicon single crystal substrates are studied. For determination of the stress values the Stoney's formula is used. The values of the film thicknesses are determined using the combined method of variable angle spectroscopic ellipsometry and near-normal spectroscopic reflectometry. The values of the curvature radii of the deformed silicon substrates in consequence of the film stresses are evaluated using interferometric method based on two-beam interferometry and chromatic aberration method. The dependence of the mechanical stress inside these films on their thickness values is determined. It is found that this dependence can be approximate by the straight-line. The results achieved for the mechanical stresses obtained by both the optical methods, i.e. by the interferometric and chromatic aberration method, are compared. It is shown that within the

Název v anglickém jazyce

Optical measurement of mechanical stresses in diamond-like carbon films

Popis výsledku anglicky

In this paper the mechanical stresses taking place in diamond like thin films prepared by the plasma enhanced chemical vapor deposition onto silicon single crystal substrates are studied. For determination of the stress values the Stoney's formula is used. The values of the film thicknesses are determined using the combined method of variable angle spectroscopic ellipsometry and near-normal spectroscopic reflectometry. The values of the curvature radii of the deformed silicon substrates in consequence of the film stresses are evaluated using interferometric method based on two-beam interferometry and chromatic aberration method. The dependence of the mechanical stress inside these films on their thickness values is determined. It is found that this dependence can be approximate by the straight-line. The results achieved for the mechanical stresses obtained by both the optical methods, i.e. by the interferometric and chromatic aberration method, are compared. It is shown that within the

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA101%2F04%2F2131" target="_blank" >GA101/04/2131: Realizace laboratorního digitálního spektrofotometru pro širokou spektrální oblast</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2005

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

8-th International Symposium on Laser Metrology

ISBN

0-8194-5757-4

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

12

Strana od-do

717-728

Název nakladatele

SPIE - The International Society for Optical Engineering

Místo vydání

Bellingham, Washington, USA

Místo konání akce

February 14-18, 2005, Merida, Yucatan, Mexico

Datum konání akce

1. 1. 2005

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—