Mechanická napětí v diamantu podobných uhlíkových vrstvách obsahující Si a O studovaná pomocí optických metod

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F04%3A00010888" target="_blank" >RIV/00216224:14310/04:00010888 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/00216305:26210/04:PU47103

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Mechanical stresses studied by optical methods in diamond-like carbon films containing Si and O

Popis výsledku v původním jazyce

In this paper the quantitative dependence of the mechanical stress inside diamond-like carbon films containing Si and O atoms on a flow rate ratio of methane CH4 and hexamethyldisiloxane C6H18Si2O in the deposition mixture is determined. For this purposethe modified Stoney's formula is employed. The important quantities taking place in this formula, i.e. the radius of curvature of the spherical surface of a deformed silicon substrate because of the film stress and the film thickness, are determined using the combined optical method based on two-beam interferometry, variable angle spectroscopic ellipsometry and near-normal spectroscopic reflectometry. It is shown that the influence of the flow rate ratio on the values of the mechanical stresses takingplace inside these films is negligible within the experimental accuracy achieved for determining these stresses if the total flow rate of gases used to be constant in the deposition mixture. A discussion of this fact is also performed. Th

Název v anglickém jazyce

Mechanical stresses studied by optical methods in diamond-like carbon films containing Si and O

Popis výsledku anglicky

In this paper the quantitative dependence of the mechanical stress inside diamond-like carbon films containing Si and O atoms on a flow rate ratio of methane CH4 and hexamethyldisiloxane C6H18Si2O in the deposition mixture is determined. For this purposethe modified Stoney's formula is employed. The important quantities taking place in this formula, i.e. the radius of curvature of the spherical surface of a deformed silicon substrate because of the film stress and the film thickness, are determined using the combined optical method based on two-beam interferometry, variable angle spectroscopic ellipsometry and near-normal spectroscopic reflectometry. It is shown that the influence of the flow rate ratio on the values of the mechanical stresses takingplace inside these films is negligible within the experimental accuracy achieved for determining these stresses if the total flow rate of gases used to be constant in the deposition mixture. A discussion of this fact is also performed. Th

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA101%2F04%2F2131" target="_blank" >GA101/04/2131: Realizace laboratorního digitálního spektrofotometru pro širokou spektrální oblast</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2004

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

SPIE's 49th Annual Meeting

ISBN

0-8194-5465-6

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

9

Strana od-do

139-147

Název nakladatele

SPIE - The International Society for Optical Engineering

Místo vydání

Bellingham, Washington, USA

Místo konání akce

August 4-5, 2004, Denver, Colorado, USA

Datum konání akce

1. 1. 2004

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—