Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Měření mechanického napětí v tenkých vrstvách pomocí kombinované optické metody

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26210%2F05%3APU48561" target="_blank" >RIV/00216305:26210/05:PU48561 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/00216224:14310/05:00012755

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    čeština

  • Název v původním jazyce

    Měření mechanického napětí v tenkých vrstvách pomocí kombinované optické metody

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Je popsána optická metoda měření mechanického napětí v tenkých vrstvách. Metoda je založena na určování poloměrů zakřivení deformovaných podložek , která vznikají v důsledku napětí ve vrstvách vytvořených na těchto podložkách. Hodnoty napětí jsou počítány pomocí modifikované Stoneovy rovnice. Hodnoty tlouštěk tenkých vrstev jsou určeny pomocí metody založené na interpretaci experimentálních dat získaných v rámci víceúhlové spektroskopické elipsometrie a spektroskopické reflektometrie. Metoda je využitapro určení hodnot mechanických napětí ve vrstvách DLC vytvořených na podložkách z monokrystalu křemíku, které obsahují příměsi Si a O. Je studována závislost hodnot napětí v těchto vrstvách na hodnotách poměru průtoků hexametyldisiloxanu a metanu.

  • Název v anglickém jazyce

    Stress measurement in thin layers with aid of combined optical method

  • Popis výsledku anglicky

    In this paper mechanical stresses taking place in diamond like carbon (DLC) thin films prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition onto silicon single crystal substrates are studied. For determining the stress values inside the films the optical methods are used. The first method is based on treating the interferograms obtained using a two-beam interferometer. By means of these interferograms the values of curvature radius of spherical surfaces of the deformed silicon substrates are determinedd. Using the modified Stoney's formula the stress values are then evaluated. The values of the films thickness needed for determining the stress values are found by the combined method of variable angle spectroscopic reflectometry. The influnce of the ratio of flows of HMDSO and CH4 on the stress inside films is studied.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BH - Optika, masery a lasery

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GA101%2F04%2F2131" target="_blank" >GA101/04/2131: Realizace laboratorního digitálního spektrofotometru pro širokou spektrální oblast</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2005

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Jemná mechanika a optika

  • ISSN

    0447-6441

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    50

  • Číslo periodika v rámci svazku

    3

  • Stát vydavatele periodika

    CZ - Česká republika

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

    72-75

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus