Charakterizace rozorientace krystalitů v polovodičových deskách a ELO vzorcích metodou zobrazení rocking křivek
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F06%3A00017520" target="_blank" >RIV/00216224:14310/06:00017520 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Crystallite misorientation analysis in semiconductor wafers and ELO samples by rocking curve imaging
Popis výsledku v původním jazyce
Rocking curve imaging is based on measuring a series of Bragg-reflection digital topographs by monochromatic parallel-beam synchrotron radiation in order to quantify local crystal lattice rotations within a large surface area with high angular and high spatial resolution. In this paper we apply the method to map local lattice tilts in two distinct semiconductor sample types with lattice misorientations up to 0.5 deg and with spatial resolution from 30 um down to 1 um. We analyse the measured surface-tilt data volumes for samples with almost smoothly varying specific misoriented defect formation in GaAs wafers and for an inherent subsurface grain structure of epitaxial lateral overgrowth wings in GaN. Back-projected tilt maps and histograms provide bothlocal and global characteristics of the microcrystallinity.
Název v anglickém jazyce
Crystallite misorientation analysis in semiconductor wafers and ELO samples by rocking curve imaging
Popis výsledku anglicky
Rocking curve imaging is based on measuring a series of Bragg-reflection digital topographs by monochromatic parallel-beam synchrotron radiation in order to quantify local crystal lattice rotations within a large surface area with high angular and high spatial resolution. In this paper we apply the method to map local lattice tilts in two distinct semiconductor sample types with lattice misorientations up to 0.5 deg and with spatial resolution from 30 um down to 1 um. We analyse the measured surface-tilt data volumes for samples with almost smoothly varying specific misoriented defect formation in GaAs wafers and for an inherent subsurface grain structure of epitaxial lateral overgrowth wings in GaN. Back-projected tilt maps and histograms provide bothlocal and global characteristics of the microcrystallinity.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2006
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Applied Surface Science
ISSN
0169-4332
e-ISSN
—
Svazek periodika
253
Číslo periodika v rámci svazku
1
Stát vydavatele periodika
DE - Spolková republika Německo
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
188-193
Kód UT WoS článku
—
EID výsledku v databázi Scopus
—