Fotoluminiscence a magnetofotoluminiscence vertikálně korelovaných kvantových teček InAs/GaAs
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F07%3A00021888" target="_blank" >RIV/00216224:14310/07:00021888 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Photoluminescence and magnetophotoluminescence of vertically stacked InAs/GaAs quantum dot structures
Popis výsledku v původním jazyce
We report on photoluminescence of a series of vertically stacked multilayer quantum dot structures. Our analysis of the data taken at different excitation powers and in the magnetic field up to 24T yields a useful insight into the electronic structure ofthe InAs/GaAs quantum dot structures. The data are compared with results of model electronic structure calculations for flat dots, including the effects of the strain field. The calculations suggest that the difference between the energies of the groundand first excited transitions is mainly determined by the lateral dimensions of the dots. A comparison of the experimental results with the theoretical ones reveals an increase of the dot dimensions (both height and diameter) and a decrease of the aspect ratio (height/diameter) with increasing number of the quantum dot layers. For seven layer samples, the wavelength of 1:3 mm has been achieved. The increase of the thickness of the spacing layers between adjacent dot layers leads to a de
Název v anglickém jazyce
Photoluminescence and magnetophotoluminescence of vertically stacked InAs/GaAs quantum dot structures
Popis výsledku anglicky
We report on photoluminescence of a series of vertically stacked multilayer quantum dot structures. Our analysis of the data taken at different excitation powers and in the magnetic field up to 24T yields a useful insight into the electronic structure ofthe InAs/GaAs quantum dot structures. The data are compared with results of model electronic structure calculations for flat dots, including the effects of the strain field. The calculations suggest that the difference between the energies of the groundand first excited transitions is mainly determined by the lateral dimensions of the dots. A comparison of the experimental results with the theoretical ones reveals an increase of the dot dimensions (both height and diameter) and a decrease of the aspect ratio (height/diameter) with increasing number of the quantum dot layers. For seven layer samples, the wavelength of 1:3 mm has been achieved. The increase of the thickness of the spacing layers between adjacent dot layers leads to a de
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2007
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Physica E
ISSN
1386-9477
e-ISSN
—
Svazek periodika
36
Číslo periodika v rámci svazku
1
Stát vydavatele periodika
NL - Nizozemsko
Počet stran výsledku
8
Strana od-do
106
Kód UT WoS článku
—
EID výsledku v databázi Scopus
—