Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Fotoluminiscence a magnetofotoluminiscence vertikálně korelovaných kvantových teček InAs/GaAs

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F07%3A00021888" target="_blank" >RIV/00216224:14310/07:00021888 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Photoluminescence and magnetophotoluminescence of vertically stacked InAs/GaAs quantum dot structures

  • Popis výsledku v původním jazyce

    We report on photoluminescence of a series of vertically stacked multilayer quantum dot structures. Our analysis of the data taken at different excitation powers and in the magnetic field up to 24T yields a useful insight into the electronic structure ofthe InAs/GaAs quantum dot structures. The data are compared with results of model electronic structure calculations for flat dots, including the effects of the strain field. The calculations suggest that the difference between the energies of the groundand first excited transitions is mainly determined by the lateral dimensions of the dots. A comparison of the experimental results with the theoretical ones reveals an increase of the dot dimensions (both height and diameter) and a decrease of the aspect ratio (height/diameter) with increasing number of the quantum dot layers. For seven layer samples, the wavelength of 1:3 mm has been achieved. The increase of the thickness of the spacing layers between adjacent dot layers leads to a de

  • Název v anglickém jazyce

    Photoluminescence and magnetophotoluminescence of vertically stacked InAs/GaAs quantum dot structures

  • Popis výsledku anglicky

    We report on photoluminescence of a series of vertically stacked multilayer quantum dot structures. Our analysis of the data taken at different excitation powers and in the magnetic field up to 24T yields a useful insight into the electronic structure ofthe InAs/GaAs quantum dot structures. The data are compared with results of model electronic structure calculations for flat dots, including the effects of the strain field. The calculations suggest that the difference between the energies of the groundand first excited transitions is mainly determined by the lateral dimensions of the dots. A comparison of the experimental results with the theoretical ones reveals an increase of the dot dimensions (both height and diameter) and a decrease of the aspect ratio (height/diameter) with increasing number of the quantum dot layers. For seven layer samples, the wavelength of 1:3 mm has been achieved. The increase of the thickness of the spacing layers between adjacent dot layers leads to a de

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2007

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Physica E

  • ISSN

    1386-9477

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    36

  • Číslo periodika v rámci svazku

    1

  • Stát vydavatele periodika

    NL - Nizozemsko

  • Počet stran výsledku

    8

  • Strana od-do

    106

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus