Electronic structure of InAs quantum dots with GaAsSb strain reducing layer: Localization of holes and its effect on the optical properties

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F10%3A00045413" target="_blank" >RIV/00216224:14310/10:00045413 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Electronic structure of InAs quantum dots with GaAsSb strain reducing layer: Localization of holes and its effect on the optical properties

Popis výsledku v původním jazyce

The electronic structure of InAs quantum dots covered with the GaAs1-ySby strain reducing layer has been studied using the k.p theory. We explain previous experimental observations of the red shift of the photoluminescence emission with increasing y andits blue shift with increasing excitation power. For y&gt;0.19, type-II dots are formed with holes localized in the GaAsSb close to the dot base; two segments at the opposite sides of the dot, forming molecular-like states, result from the piezoelectricfield. We also propose an experiment that could be used to identify the hole localization using a vertical electric field.

Název v anglickém jazyce

Electronic structure of InAs quantum dots with GaAsSb strain reducing layer: Localization of holes and its effect on the optical properties

Popis výsledku anglicky

The electronic structure of InAs quantum dots covered with the GaAs1-ySby strain reducing layer has been studied using the k.p theory. We explain previous experimental observations of the red shift of the photoluminescence emission with increasing y andits blue shift with increasing excitation power. For y&gt;0.19, type-II dots are formed with holes localized in the GaAsSb close to the dot base; two segments at the opposite sides of the dot, forming molecular-like states, result from the piezoelectricfield. We also propose an experiment that could be used to identify the hole localization using a vertical electric field.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA202%2F09%2F0676" target="_blank" >GA202/09/0676: Vliv krycích vrstev na elektronové stavy v kvantových tečkách</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2010

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Applied Physics Letters

ISSN

0003-6951

e-ISSN

—

Svazek periodika

97

Číslo periodika v rámci svazku

203107

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

3

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000284545200055

EID výsledku v databázi Scopus

—