ELECTRONIC STRUCTURE OF INAS/GAAS/GAASSB QUANTUM DOTS

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14740%2F11%3A00057585" target="_blank" >RIV/00216224:14740/11:00057585 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

ELECTRONIC STRUCTURE OF INAS/GAAS/GAASSB QUANTUM DOTS

Popis výsledku v původním jazyce

The electronic structure of InAs quantum dots (QD) self assembled on GaAs and covered with the GaAs(1-y) Sb(y) strain reducing layer displays several interesting features, depending on the geometry and the composition of the ternary material. The basic motivation is the possible lowering of the emission energy towards the prominent communication bands of 1.3 and 1.55 microns. Using the envelope function theory, we investigate the localization of electrons and holes. The most remarkable finding is the localization of holes outside InAs, close to the base of the dot, for larger value of the Sb content. Thus, typeII molecular-like states are formed as the results of the strain and piezoelectric fields. The parameters of the ternary layer play a crucial role in forming the properties of the QD structures; some of them cannot be easily obtained by X-ray techniques.

Název v anglickém jazyce

ELECTRONIC STRUCTURE OF INAS/GAAS/GAASSB QUANTUM DOTS

Popis výsledku anglicky

The electronic structure of InAs quantum dots (QD) self assembled on GaAs and covered with the GaAs(1-y) Sb(y) strain reducing layer displays several interesting features, depending on the geometry and the composition of the ternary material. The basic motivation is the possible lowering of the emission energy towards the prominent communication bands of 1.3 and 1.55 microns. Using the envelope function theory, we investigate the localization of electrons and holes. The most remarkable finding is the localization of holes outside InAs, close to the base of the dot, for larger value of the Sb content. Thus, typeII molecular-like states are formed as the results of the strain and piezoelectric fields. The parameters of the ternary layer play a crucial role in forming the properties of the QD structures; some of them cannot be easily obtained by X-ray techniques.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA202%2F09%2F0676" target="_blank" >GA202/09/0676: Vliv krycích vrstev na elektronové stavy v kvantových tečkách</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach<br>I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2011

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

3rd International Conference on NANOCON

ISBN

9788087294277

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

39-44

Název nakladatele

TANGER LTD

Místo vydání

SLEZSKA

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

1. 1. 2011

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

000306686700005