Simulace vlastností InAs/GaAs kvantových teček

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F12%3A00197917" target="_blank" >RIV/68407700:21340/12:00197917 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Simulace vlastností InAs/GaAs kvantových teček
Popis výsledku v původním jazyce
Teoretické simulace jsou velmi důležité pro pochopení a předpovídání různých fyzikálních procesů v kvantových strukturách. Pomocí programu Nextnano byly v závislosti na obsahu antimonu v GaAsSb vrstvě redukující pnutí (Strain Reducing Layer, SRL) překrývající InAs/GaAs kvantové tečky (Quantum Dot, QD) nasimulovány tyto vlastnosti: pásová struktura, vzdálenosti energetických hladin elektronů a děr pro různé velikosti QD a různé složení GaAsSb SRL a hustoty pravděpodobnosti výskytu elektronů a děr. Pomocívýsledků byla též interpretována dynamika zachycení elektronů a děr v QD, případně v GaAsSb SRL.
Název v anglickém jazyce
Simulation of properties InAs/GaAs quamtum dots
Popis výsledku anglicky
Theoretical simulations are necessary for understanding and predicting physical processes in quantum structures. Depending on the amount of antimony in GaAsSb strain reducing layer covering InAs/GaAs quantum dots (QDs), various physical properties of quantum structures were simulated using nextnano software: band structure, the distance of electron and hole energy levels for diverse QD size and different compositon of GaAsSb and electron and hole probability densities. According to the results, the principle of capturing of the charge carriers in QDs or in GaAsSb layer was deduced.

Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)