Vícevrstvá polovodičová struktura pro fotoelektrická zařízení

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F19%3A00520192" target="_blank" >RIV/68378271:_____/19:00520192 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="https://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/Patents/FullDocuments/307/307941.pdf" target="_blank" >https://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/Patents/FullDocuments/307/307941.pdf</a>

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Vícevrstvá polovodičová struktura pro fotoelektrická zařízení

Popis výsledku v původním jazyce

Podstata vynálezu spočívá ve využití samouspořádané trojice kvantových teček (KT) kombinované ze dvou polovodičových materiálů InAs a GaAsSb pro efektivní absorpci světla, generaci páru elektron-díra a pro jejich rychlou separaci, která zabrání zpětné rekombinaci vygenerovaných nosičů náboje a tím efektivitu generace fotoproudu. Trojici KT tvoří jedna InAs KT pro lokalizaci elektronů a nad ní dvojice GaAsSb KT pro lokalizaci děr. InAs KT a GaAsSb KT jsou od sebe odděleny tenkou vrstvou GaAs nebo GaAsSb. K zesílení tvorby GaAsSb KT dochází, jestliže je pod InAs vrstvou deponována asi 1-3 nm tenká InGaAs podkladová vrstva. Struktura je vhodná pro zabudování do fotodiod, solárních článků nebo tandemových solárních článků pro absorpci světla ve spektrální oblasti 1100-1500 nm. Struktura zvyšuje efektivitu generace fotoproudu tím, že účinně potlačuje zpětnou rekombinaci generovaných nosičů náboje.

Název v anglickém jazyce

Multilayer semiconductor structure for photoelectric devices

Popis výsledku anglicky

Multilayer semiconductor structure for photoelectric devices based on three Quantum Dots (QDs) combined from two semiconductor materials InAs and GaAsSb for effective light absorption, electron-hole pairs generation and their fast separation preventing the repeated recombination of generated charge carriers which improves the effectivity of the photocurrent generation. The three QDs consists of one InAs QD for the electron localization and a pair of GaAsSb QDs above the first one for the hole localization. InAs and GaAsSb QDs are separated from each other by a thin GaAs or GaAsSb layer. A formation of GaAsSb QD is enhanced by a deposition of 1-3 nm thick InGaAs buffer layer beneath the InAs layer. The structure is suitable for use in photodiodes, solar cells or tandem solar cells for absorption of light in spectral range from 1100 to 1500 nm. Th structure increases the photocurrent generation effectivity by effective suppression of repeated recombination of generated charge carriers.

Druh

P - Patent

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

<a href="/cs/project/LO1603" target="_blank" >LO1603: Centrum technologie a pokročilé strukturní analýzy aplikačně významných materiálů</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2019

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Číslo patentu nebo vzoru

307941

Vydavatel

CZ001 -

Název vydavatele

Industrial Property Office

Místo vydání

Prague

Stát vydání

CZ - Česká republika

Datum přijetí

25. 7. 2019

Název vlastníka

Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.

Způsob využití

A - Výsledek využívá pouze poskytovatel

Druh možnosti využití

A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence