Lateral shape of InAs/GaAs quantum dots in vertically correlated structures
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F07%3A00028834" target="_blank" >RIV/00216224:14310/07:00028834 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Lateral shape of InAs/GaAs quantum dots in vertically correlated structures
Popis výsledku v původním jazyce
InAs/GaAs quantum dots (QDs) in vertically correlated structures were studied by photoluminescence (PL) and atomic force microscopy (AFM). Samples were grown by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy (LP MOVPE). InAs QDs on the GaAs surface as well as GaAs hillocks covering the underlying QDs are elongated in the [-110] direction. This elongation is caused by higher lateral growth rates of both materials in the [-110] direction on the [100]-oriented substrates. The elongation and curvature of GaAs hillocks is probably the cause of the change of elongation direction of QDs in the upper layers of vertically stacked structures. With greater number of layers, QDs start to be circular. This is potentially a useful tool for controlling QD properties in laser structures.
Název v anglickém jazyce
Lateral shape of InAs/GaAs quantum dots in vertically correlated structures
Popis výsledku anglicky
InAs/GaAs quantum dots (QDs) in vertically correlated structures were studied by photoluminescence (PL) and atomic force microscopy (AFM). Samples were grown by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy (LP MOVPE). InAs QDs on the GaAs surface as well as GaAs hillocks covering the underlying QDs are elongated in the [-110] direction. This elongation is caused by higher lateral growth rates of both materials in the [-110] direction on the [100]-oriented substrates. The elongation and curvature of GaAs hillocks is probably the cause of the change of elongation direction of QDs in the upper layers of vertically stacked structures. With greater number of layers, QDs start to be circular. This is potentially a useful tool for controlling QD properties in laser structures.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2007
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Journal of crystal growth
ISSN
0022-0248
e-ISSN
—
Svazek periodika
298
Číslo periodika v rámci svazku
SI
Stát vydavatele periodika
JP - Japonsko
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
—
Kód UT WoS článku
—
EID výsledku v databázi Scopus
—