Strain-induced anticrossing of bright exciton levels in single self-assembled GaAs/AlxGa1-xAs and InxGa1-xAs/GaAs quantum dots

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F11%3A00049737" target="_blank" >RIV/00216224:14310/11:00049737 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://prb.aps.org/abstract/PRB/v83/i12/e121302" target="_blank" >http://prb.aps.org/abstract/PRB/v83/i12/e121302</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.83.121302" target="_blank" >10.1103/PhysRevB.83.121302</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Strain-induced anticrossing of bright exciton levels in single self-assembled GaAs/AlxGa1-xAs and InxGa1-xAs/GaAs quantum dots

Popis výsledku v původním jazyce

We study the effect of elastic anisotropic biaxial strain, induced by a piezoelectric actuator, on the light emitted by neutral excitons confined in different kinds of epitaxial quantum dots. We find that the light polarization rotates by up to similar to 80 degrees and the fine structure splitting (FSS) varies nonmonotonically by several tens of mu eV as the strain is varied. These findings provide the experimental proof of a recently predicted strain-induced anticrossing of the bright states of neutral excitons in quantum dots. Calculations on model dots qualitatively reproduce the observations and suggest that the minimum reachable FSS critically depends on the orientation of the strain axis relative to the dot elongation.

Název v anglickém jazyce

Strain-induced anticrossing of bright exciton levels in single self-assembled GaAs/AlxGa1-xAs and InxGa1-xAs/GaAs quantum dots

Popis výsledku anglicky

We study the effect of elastic anisotropic biaxial strain, induced by a piezoelectric actuator, on the light emitted by neutral excitons confined in different kinds of epitaxial quantum dots. We find that the light polarization rotates by up to similar to 80 degrees and the fine structure splitting (FSS) varies nonmonotonically by several tens of mu eV as the strain is varied. These findings provide the experimental proof of a recently predicted strain-induced anticrossing of the bright states of neutral excitons in quantum dots. Calculations on model dots qualitatively reproduce the observations and suggest that the minimum reachable FSS critically depends on the orientation of the strain axis relative to the dot elongation.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA202%2F09%2F0676" target="_blank" >GA202/09/0676: Vliv krycích vrstev na elektronové stavy v kvantových tečkách</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2011

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Physical Review B

ISSN

1098-0121

e-ISSN

—

Svazek periodika

83

Číslo periodika v rámci svazku

12

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

"nestrankovano"

Kód UT WoS článku

000288160300001

EID výsledku v databázi Scopus

—