Activation of silicon surface in atmospheric oxygen plasma
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F12%3A00064633" target="_blank" >RIV/00216224:14310/12:00064633 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Activation of silicon surface in atmospheric oxygen plasma
Popis výsledku v původním jazyce
In this contribution, the surface modification of crystalline silicon surface in oxygen atmosphere was investigated. Moreover the effect of crystallographic orientation and surface pre-cleaning of silicon surface were studied. c-Si wafers (100) and (111)oriented were cleaned in isopropyl alcohol or etched in HF solution and afterwards treated in Diffuse Coplanar Surface Barrier Discharge. Wettability, changes of surface properties and ageing effect of plasma treated surface were studied by means of contact angle measurement. It was proved, that modification of c-Si surface in oxygen plasma improve the wettability independent on crystallographic orientation and initial cleaning process.
Název v anglickém jazyce
Activation of silicon surface in atmospheric oxygen plasma
Popis výsledku anglicky
In this contribution, the surface modification of crystalline silicon surface in oxygen atmosphere was investigated. Moreover the effect of crystallographic orientation and surface pre-cleaning of silicon surface were studied. c-Si wafers (100) and (111)oriented were cleaned in isopropyl alcohol or etched in HF solution and afterwards treated in Diffuse Coplanar Surface Barrier Discharge. Wettability, changes of surface properties and ageing effect of plasma treated surface were studied by means of contact angle measurement. It was proved, that modification of c-Si surface in oxygen plasma improve the wettability independent on crystallographic orientation and initial cleaning process.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BL - Fyzika plasmatu a výboje v plynech
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/ED2.1.00%2F03.0086" target="_blank" >ED2.1.00/03.0086: Regionální VaV centrum pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
CHEMICKÉ LISTY
ISSN
0009-2770
e-ISSN
—
Svazek periodika
106
Číslo periodika v rámci svazku
S
Stát vydavatele periodika
CZ - Česká republika
Počet stran výsledku
3
Strana od-do
1488-1490
Kód UT WoS článku
—
EID výsledku v databázi Scopus
—