Modification of (111) and (100) silicon in atmospheric pressure plasma

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F14%3A00078284" target="_blank" >RIV/00216224:14310/14:00078284 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2014.05.196" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2014.05.196</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2014.05.196" target="_blank" >10.1016/j.apsusc.2014.05.196</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Modification of (111) and (100) silicon in atmospheric pressure plasma

Popis výsledku v původním jazyce

In this paper the effect of plasma treatment in dependence of the different crystallographic orientation of silicon surface, (1 0 0) plane and (1 1 1) plane is studied. Plasma treatment was realized in atmospheric pressure plasma generated by diffuse coplanar surface barrier discharge in ambient air. The changes of surface morphology, wettability and chemical structure were investigated by means of the AFM measurement, contact angle measurement and XPS, respectively. It was proved that plasma rougheningof c-Si depends on the crystallographic orientation. The wettability of c-Si after plasma treatment was improved independently on the orientation however oxidation of Si surface was also observed. (C) 2014 Elsevier B.V. All rights reserved.

Název v anglickém jazyce

Modification of (111) and (100) silicon in atmospheric pressure plasma

Popis výsledku anglicky

In this paper the effect of plasma treatment in dependence of the different crystallographic orientation of silicon surface, (1 0 0) plane and (1 1 1) plane is studied. Plasma treatment was realized in atmospheric pressure plasma generated by diffuse coplanar surface barrier discharge in ambient air. The changes of surface morphology, wettability and chemical structure were investigated by means of the AFM measurement, contact angle measurement and XPS, respectively. It was proved that plasma rougheningof c-Si depends on the crystallographic orientation. The wettability of c-Si after plasma treatment was improved independently on the orientation however oxidation of Si surface was also observed. (C) 2014 Elsevier B.V. All rights reserved.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BL - Fyzika plasmatu a výboje v plynech

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Applied Surface Science

ISSN

0169-4332

e-ISSN

—

Svazek periodika

312

Číslo periodika v rámci svazku

SEPTEMBER

Stát vydavatele periodika

NL - Nizozemsko

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

203-207

Kód UT WoS článku

000339998700037

EID výsledku v databázi Scopus

—