Utilization of the sum rule for construction of advanced dispersion model of crystalline silicon containing interstitial oxygen
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F14%3A00079590" target="_blank" >RIV/00216224:14310/14:00079590 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://ac.els-cdn.com/S0040609014003514/1-s2.0-S0040609014003514-main.pdf?_tid=0ab31e60-cd51-11e4-974b-00000aacb361&acdnat=1426671048_33720b9a5f3421f518aa642d5757ebfa" target="_blank" >http://ac.els-cdn.com/S0040609014003514/1-s2.0-S0040609014003514-main.pdf?_tid=0ab31e60-cd51-11e4-974b-00000aacb361&acdnat=1426671048_33720b9a5f3421f518aa642d5757ebfa</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2014.03.059" target="_blank" >10.1016/j.tsf.2014.03.059</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Utilization of the sum rule for construction of advanced dispersion model of crystalline silicon containing interstitial oxygen
Popis výsledku v původním jazyce
The distribution of the total transition strength, i.e. the right hand side of the integral form of Thomas-Reiche-Kuhn sum rule, into individual absorption processes is described for crystalline silicon containing interstitial oxygen. Utilization of thesum rule allows the construction of a dispersion model covering all elementary excitations from phonon absorption to core electron excitations. The dependence of transition strength of individual electronic and phonon contributions on temperature and oxygen content is described. (C) 2014 Elsevier B.V. All rights reserved.
Název v anglickém jazyce
Utilization of the sum rule for construction of advanced dispersion model of crystalline silicon containing interstitial oxygen
Popis výsledku anglicky
The distribution of the total transition strength, i.e. the right hand side of the integral form of Thomas-Reiche-Kuhn sum rule, into individual absorption processes is described for crystalline silicon containing interstitial oxygen. Utilization of thesum rule allows the construction of a dispersion model covering all elementary excitations from phonon absorption to core electron excitations. The dependence of transition strength of individual electronic and phonon contributions on temperature and oxygen content is described. (C) 2014 Elsevier B.V. All rights reserved.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2014
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Thin Solid Films
ISSN
0040-6090
e-ISSN
—
Svazek periodika
571
Číslo periodika v rámci svazku
november
Stát vydavatele periodika
CH - Švýcarská konfederace
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
490-495
Kód UT WoS článku
000346055200027
EID výsledku v databázi Scopus
—