Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Spatial Atomic Layer Deposition: performance of low temperature H20 and O3 oxidant chemistry for flexible electronics encapsulation.

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F15%3A00094216" target="_blank" >RIV/00216224:14310/15:00094216 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1116/1.4914079" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1116/1.4914079</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1116/1.4914079" target="_blank" >10.1116/1.4914079</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Spatial Atomic Layer Deposition: performance of low temperature H20 and O3 oxidant chemistry for flexible electronics encapsulation.

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Water and oxygen were compared as oxidizing agents for the Al2O3 atomic layer deposition process using spatial atomic layer deposition reactor. The influence of the precursor dose on the deposition rate and refractive index, which was used as a proxy for film density, was measured as a function of residence time, defined as the time which the moving substrate spent within one precursor gas zone. The effect of temperature on the growth characteristics was also measured. The water-based process gave faster deposition rates and higher refractive indices but the ozone process allowed deposition to take place at lower temperatures while still maintaining good film quality. In general, processes based on both oxidation chemistries were able to produce excellent moisture barrier films with water vapor transmission rate levels of 10(-4) g/m(2) day measured at 38 degrees C and 90% of relative humidity on polyethylene naphthalate substrates.

  • Název v anglickém jazyce

    Spatial Atomic Layer Deposition: performance of low temperature H20 and O3 oxidant chemistry for flexible electronics encapsulation.

  • Popis výsledku anglicky

    Water and oxygen were compared as oxidizing agents for the Al2O3 atomic layer deposition process using spatial atomic layer deposition reactor. The influence of the precursor dose on the deposition rate and refractive index, which was used as a proxy for film density, was measured as a function of residence time, defined as the time which the moving substrate spent within one precursor gas zone. The effect of temperature on the growth characteristics was also measured. The water-based process gave faster deposition rates and higher refractive indices but the ozone process allowed deposition to take place at lower temperatures while still maintaining good film quality. In general, processes based on both oxidation chemistries were able to produce excellent moisture barrier films with water vapor transmission rate levels of 10(-4) g/m(2) day measured at 38 degrees C and 90% of relative humidity on polyethylene naphthalate substrates.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BE - Teoretická fyzika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2015

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    J. Vac. Sci. Technol. A

  • ISSN

    0734-2101

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    33

  • Číslo periodika v rámci svazku

    3

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    8

  • Strana od-do

    "nestrankovano"

  • Kód UT WoS článku

    000355741800029

  • EID výsledku v databázi Scopus