Determination of thicknesses and temperatures of crystalline silicon wafers from optical measurements in the far infrared region

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F18%3A00106358" target="_blank" >RIV/00216224:14310/18:00106358 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.5026195" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1063/1.5026195</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.5026195" target="_blank" >10.1063/1.5026195</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Determination of thicknesses and temperatures of crystalline silicon wafers from optical measurements in the far infrared region

Popis výsledku v původním jazyce

Optical measurements of transmittance in the far infrared region performed on crystalline silicon wafers exhibit partially coherent interference effects appropriate for the determination of thicknesses of the wafers. The knowledge of accurate spectral and temperature dependencies of the optical constants of crystalline silicon in this spectral region is crucial for determination of their thickness and vice versa. The recently published temperature dependent dispersion model of crystalline silicon is suitable for this purpose. Because the linear thermal expansion of crystalline silicon is known, the temperatures of the wafers can be determined with high precision from the evolution of the interference patterns at elevated temperatures.

Název v anglickém jazyce

Determination of thicknesses and temperatures of crystalline silicon wafers from optical measurements in the far infrared region

Popis výsledku anglicky

Optical measurements of transmittance in the far infrared region performed on crystalline silicon wafers exhibit partially coherent interference effects appropriate for the determination of thicknesses of the wafers. The knowledge of accurate spectral and temperature dependencies of the optical constants of crystalline silicon in this spectral region is crucial for determination of their thickness and vice versa. The recently published temperature dependent dispersion model of crystalline silicon is suitable for this purpose. Because the linear thermal expansion of crystalline silicon is known, the temperatures of the wafers can be determined with high precision from the evolution of the interference patterns at elevated temperatures.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

<a href="/cs/project/LO1411" target="_blank" >LO1411: Rozvoj centra pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2018

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Applied Physics

ISSN

0021-8979

e-ISSN

—

Svazek periodika

123

Číslo periodika v rámci svazku

18

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

11

Strana od-do

185707

Kód UT WoS článku

000432331100037

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85047127115