Assessing Carrier Recombination Processes in Type-II SiGe/Si(001) Quantum Dots
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F19%3A00108336" target="_blank" >RIV/00216224:14310/19:00108336 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://onlinelibrary.wiley.com/doi/epdf/10.1002/andp.201800259" target="_blank" >https://onlinelibrary.wiley.com/doi/epdf/10.1002/andp.201800259</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1002/andp.201800259" target="_blank" >10.1002/andp.201800259</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Assessing Carrier Recombination Processes in Type-II SiGe/Si(001) Quantum Dots
Popis výsledku v původním jazyce
In this work, it is shown how different carrier recombination paths significantly broaden the photoluminescence (PL) emission bandwidth observed in type-II self-assembled SiGe/Si(001) quantum dots (QDs). QDs grown by molecular beam epitaxy with very homogeneous size distribution, onion-shaped composition profile, and Si capping layer thicknesses varying from 0 to 1100 nm are utilized to assess the optical carrier-recombination paths. By using high-energy photons for PL excitation, electron-hole pairs can be selectively generated either above or below the QD layer and, thus, clearly access two radiative carrier recombination channels. Fitting the charge carrier capture-, loss- and recombination-dynamics to PL time-decay curves measured for different experimental configurations allows to obtain quantitative information of carrier capture-, excitonic-emission-, and Auger-recombination rates in this type-II nano-system.
Název v anglickém jazyce
Assessing Carrier Recombination Processes in Type-II SiGe/Si(001) Quantum Dots
Popis výsledku anglicky
In this work, it is shown how different carrier recombination paths significantly broaden the photoluminescence (PL) emission bandwidth observed in type-II self-assembled SiGe/Si(001) quantum dots (QDs). QDs grown by molecular beam epitaxy with very homogeneous size distribution, onion-shaped composition profile, and Si capping layer thicknesses varying from 0 to 1100 nm are utilized to assess the optical carrier-recombination paths. By using high-energy photons for PL excitation, electron-hole pairs can be selectively generated either above or below the QD layer and, thus, clearly access two radiative carrier recombination channels. Fitting the charge carrier capture-, loss- and recombination-dynamics to PL time-decay curves measured for different experimental configurations allows to obtain quantitative information of carrier capture-, excitonic-emission-, and Auger-recombination rates in this type-II nano-system.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2019
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Annalen der Physik (Berlin)
ISSN
0003-3804
e-ISSN
1521-3889
Svazek periodika
531
Číslo periodika v rámci svazku
6
Stát vydavatele periodika
DE - Spolková republika Německo
Počet stran výsledku
12
Strana od-do
1-12
Kód UT WoS článku
000471714300011
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85059865984