Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Comparison of MOVPE grown GaAs, InGaAs and GaAsSb covering layers for different InAs/GaAs quantum dot applications

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F17%3A00474047" target="_blank" >RIV/68378271:_____/17:00474047 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.11.110" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.11.110</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.11.110" target="_blank" >10.1016/j.jcrysgro.2016.11.110</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Comparison of MOVPE grown GaAs, InGaAs and GaAsSb covering layers for different InAs/GaAs quantum dot applications

  • Popis výsledku v původním jazyce

    InAs/GaAs QD HS with different covering layers (CLs) prepared by MOVPE are compared. The recombination energy of a structure covered only by GaAs depends nonlinearly on CL thickness. Experimental data of PL were supported by theoretical simulations. These simulations prove that the strain plays a major role. Due to the strain reduction, the recombination energy is decreased, so the structure has longer PL wavelength. By theoretical simulations it was shown that for high content of In in InGaAs covering layer (45% and more), the heterostructure is type II, which would normally be unreachable for flat layers. For the structure with GaAsSb SRL, the band alignment is highly dependent on the SRL composition. The type I/type II transition occurs for approximately 15% of Sb, this value also slightly depends on the QD size. All structures were also studied by HRTEM to show different behavior of the CLs on the interface with InAs which highly influences the structure quality.

  • Název v anglickém jazyce

    Comparison of MOVPE grown GaAs, InGaAs and GaAsSb covering layers for different InAs/GaAs quantum dot applications

  • Popis výsledku anglicky

    InAs/GaAs QD HS with different covering layers (CLs) prepared by MOVPE are compared. The recombination energy of a structure covered only by GaAs depends nonlinearly on CL thickness. Experimental data of PL were supported by theoretical simulations. These simulations prove that the strain plays a major role. Due to the strain reduction, the recombination energy is decreased, so the structure has longer PL wavelength. By theoretical simulations it was shown that for high content of In in InGaAs covering layer (45% and more), the heterostructure is type II, which would normally be unreachable for flat layers. For the structure with GaAsSb SRL, the band alignment is highly dependent on the SRL composition. The type I/type II transition occurs for approximately 15% of Sb, this value also slightly depends on the QD size. All structures were also studied by HRTEM to show different behavior of the CLs on the interface with InAs which highly influences the structure quality.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/LO1603" target="_blank" >LO1603: Centrum technologie a pokročilé strukturní analýzy aplikačně významných materiálů</a><br>

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2017

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Journal of Crystal Growth

  • ISSN

    0022-0248

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    464

  • Číslo periodika v rámci svazku

    Apr

  • Stát vydavatele periodika

    NL - Nizozemsko

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

    59-63

  • Kód UT WoS článku

    000398873500011

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85015385142