GaAsSb strain reducing layers for InAs/GaAs quantum dot long wavelength and high efficiency emission
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F11%3A00367155" target="_blank" >RIV/68378271:_____/11:00367155 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
GaAsSb strain reducing layers for InAs/GaAs quantum dot long wavelength and high efficiency emission
Popis výsledku v původním jazyce
In this work we report the photoluminescence (PL) at maximum wavelength 1391 nm on MOVPE prepared InAs/GaAs quantum dots (QDs) with GaAsSb strain reducing layer (SRL) maintaining the type I heterojunction between QDs and GaAsSb SRL. We present the shiftof PL maximum towards longer wavelengths with increasing Sb content in SRL. This type of structure increases strongly PL efficiency, redshifts the PL peak, decreases its full width at half maximum and maintains a similar energy separation between the ground state and excited state in comparison to QDs covered only by GaAs. These properties are promising for the use of GaAsSb SRL in QD devices.
Název v anglickém jazyce
GaAsSb strain reducing layers for InAs/GaAs quantum dot long wavelength and high efficiency emission
Popis výsledku anglicky
In this work we report the photoluminescence (PL) at maximum wavelength 1391 nm on MOVPE prepared InAs/GaAs quantum dots (QDs) with GaAsSb strain reducing layer (SRL) maintaining the type I heterojunction between QDs and GaAsSb SRL. We present the shiftof PL maximum towards longer wavelengths with increasing Sb content in SRL. This type of structure increases strongly PL efficiency, redshifts the PL peak, decreases its full width at half maximum and maintains a similar energy separation between the ground state and excited state in comparison to QDs covered only by GaAs. These properties are promising for the use of GaAsSb SRL in QD devices.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2011
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
EWMOVPE XIV
ISBN
978-83-7493-599-9
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
105-108
Název nakladatele
Printing house of Wroclaw University of Technology
Místo vydání
Wroclaw
Místo konání akce
Wrocław
Datum konání akce
5. 6. 2011
Typ akce podle státní příslušnosti
EUR - Evropská akce
Kód UT WoS článku
—