Modeling electronic and optical properties of III–V quantum dots—selected recent developments

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F22%3A00125184" target="_blank" >RIV/00216224:14310/22:00125184 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://www.nature.com/articles/s41377-021-00700-9" target="_blank" >https://www.nature.com/articles/s41377-021-00700-9</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1038/s41377-021-00700-9" target="_blank" >10.1038/s41377-021-00700-9</a>

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Modeling electronic and optical properties of III–V quantum dots—selected recent developments
Popis výsledku v původním jazyce
Electronic properties of selected quantum dot (QD) systems are surveyed based on the multi-band k·p method, which we benchmark by direct comparison to the empirical tight-binding algorithm, and we also discuss the newly developed “linear combination of quantum dot orbitals” method. Furthermore, we focus on two major complexes: First, the role of antimony incorporation in InGaAs/GaAs submonolayer QDs and In1−xGax AsySb1−y/GaP QDs, and second, the theory of QD-based quantum cascade lasers and the related prospect of room temperature lasing.
Název v anglickém jazyce
Modeling electronic and optical properties of III–V quantum dots—selected recent developments
Popis výsledku anglicky
Electronic properties of selected quantum dot (QD) systems are surveyed based on the multi-band k·p method, which we benchmark by direct comparison to the empirical tight-binding algorithm, and we also discuss the newly developed “linear combination of quantum dot orbitals” method. Furthermore, we focus on two major complexes: First, the role of antimony incorporation in InGaAs/GaAs submonolayer QDs and In1−xGax AsySb1−y/GaP QDs, and second, the theory of QD-based quantum cascade lasers and the related prospect of room temperature lasing.

Projekt
<a href="/cs/project/8C18001" target="_blank" >8C18001: CMOS Compatible Single Photon Sources based on SiGe Quantum Dots</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění
2022
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika
Light: Science & Applications
ISSN
2095-5545
e-ISSN
2047-7538
Svazek periodika
11
Číslo periodika v rámci svazku
1
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
14
Strana od-do
1-14
Kód UT WoS článku
000742967600001
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85123044895

Podobné výsledky(10)