Electronic band structure of Sb2Te3
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F24%3A00138971" target="_blank" >RIV/00216224:14310/24:00138971 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/00216208:11320/24:10484479
Výsledek na webu
<a href="https://doi.org/10.1103/PhysRevB.109.165205" target="_blank" >https://doi.org/10.1103/PhysRevB.109.165205</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.109.165205" target="_blank" >10.1103/PhysRevB.109.165205</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Electronic band structure of Sb2Te3
Popis výsledku v původním jazyce
We report on Landau-level spectroscopy of an epitaxially grown thin film of the topological insulator Sb2Te3, complemented by ellipsometry and magnetotransport measurements. The observed response suggests that Sb2Te3 is a direct-gap semiconductor with the fundamental band gap located at the I' point or along the trigonal axis, and its width reaches Eg = (190 +/- 10) meV at low temperatures. Our data also indicate the presence of other low-energy extrema with a higher multiplicity in both the conduction and valence bands. The conclusions based on our experimental data are confronted with and to a great extent corroborated by the electronic band structure calculated using the GW method.
Název v anglickém jazyce
Electronic band structure of Sb2Te3
Popis výsledku anglicky
We report on Landau-level spectroscopy of an epitaxially grown thin film of the topological insulator Sb2Te3, complemented by ellipsometry and magnetotransport measurements. The observed response suggests that Sb2Te3 is a direct-gap semiconductor with the fundamental band gap located at the I' point or along the trigonal axis, and its width reaches Eg = (190 +/- 10) meV at low temperatures. Our data also indicate the presence of other low-energy extrema with a higher multiplicity in both the conduction and valence bands. The conclusions based on our experimental data are confronted with and to a great extent corroborated by the electronic band structure calculated using the GW method.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2024
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Physical Review B
ISSN
2469-9950
e-ISSN
2469-9969
Svazek periodika
109
Číslo periodika v rámci svazku
16
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
11
Strana od-do
1-11
Kód UT WoS článku
001231880300001
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85190774901