Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Elektrické vlastnosti sloučenin chalkopyritu CuAlX2(X = S, Se, Te).

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60076658%3A12640%2F08%3A00009361" target="_blank" >RIV/60076658:12640/08:00009361 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/67179843:_____/08:00343313

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Electronic properties of chalcopyrite CuAlX2(X = S, Se, Te) compounds

  • Popis výsledku v původním jazyce

    We present results of the band structure and density of states for the chalcopyrite compounds CuAlX2 (X = S, Se, Te) using the state-of-the-art full potential linear augmented plane wave (FP-LAPW) method. Our calculations show that these compounds are direct band gap semiconductors. The energy gap decreases when S is replaced by Se and Se replaced by Te in agreement with the experimental data. The values of our calculated energy gaps are closer to the experimental data than the previous calculations. The electronic structure of the upper valence band is dominated by the Cu-d and X-p interactions. The existence of Cu-d states in the upper valence band has significant effect on the optical band gap.

  • Název v anglickém jazyce

    Electronic properties of chalcopyrite CuAlX2(X = S, Se, Te) compounds

  • Popis výsledku anglicky

    We present results of the band structure and density of states for the chalcopyrite compounds CuAlX2 (X = S, Se, Te) using the state-of-the-art full potential linear augmented plane wave (FP-LAPW) method. Our calculations show that these compounds are direct band gap semiconductors. The energy gap decreases when S is replaced by Se and Se replaced by Te in agreement with the experimental data. The values of our calculated energy gaps are closer to the experimental data than the previous calculations. The electronic structure of the upper valence band is dominated by the Cu-d and X-p interactions. The existence of Cu-d states in the upper valence band has significant effect on the optical band gap.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BO - Biofyzika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2008

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Solid State Comunications

  • ISSN

    0038-1098

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    145

  • Číslo periodika v rámci svazku

    11-12

  • Stát vydavatele periodika

    GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

  • Kód UT WoS článku

    000253688900012

  • EID výsledku v databázi Scopus