Raman and interband optical spectra of epitaxial layers of the topological insulators Bi2Te3 and Bi2Se3 on BaF2 substrates

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14740%2F14%3A00074283" target="_blank" >RIV/00216224:14740/14:00074283 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://iopscience.iop.org/1402-4896/2014/T162/014007/article" target="_blank" >http://iopscience.iop.org/1402-4896/2014/T162/014007/article</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1088/0031-8949/2014/T162/014007" target="_blank" >10.1088/0031-8949/2014/T162/014007</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Raman and interband optical spectra of epitaxial layers of the topological insulators Bi2Te3 and Bi2Se3 on BaF2 substrates

Popis výsledku v původním jazyce

We report results of Raman and ellipsometric spectroscopy of the topological insulators Bi2Te3 and Bi2Se3 grown by molecular beam epitaxy on BaF2 (111) substrates. Surfaces and interfaces of the films are probed by Raman scattering from the front and back sides of the samples, which is possible owing to the transparent substrate. Surface modifications induced by intense illumination with exciting laser light have been detected, with excess tellurium at the surface during and after exposure. We also report data for thin epilayers containing a fractional number of unit cells and/or incomplete Bi2Te3 and Bi2Se3 quintuples. We have used spectroellipsometric measurements to obtain response functions and have derived the penetration depth of light in the 1.0?6.5 eV range.

Název v anglickém jazyce

Raman and interband optical spectra of epitaxial layers of the topological insulators Bi2Te3 and Bi2Se3 on BaF2 substrates

Popis výsledku anglicky

We report results of Raman and ellipsometric spectroscopy of the topological insulators Bi2Te3 and Bi2Se3 grown by molecular beam epitaxy on BaF2 (111) substrates. Surfaces and interfaces of the films are probed by Raman scattering from the front and back sides of the samples, which is possible owing to the transparent substrate. Surface modifications induced by intense illumination with exciting laser light have been detected, with excess tellurium at the surface during and after exposure. We also report data for thin epilayers containing a fractional number of unit cells and/or incomplete Bi2Te3 and Bi2Se3 quintuples. We have used spectroellipsometric measurements to obtain response functions and have derived the penetration depth of light in the 1.0?6.5 eV range.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

PHOTONICA ? 13: 4th International School and Conference on Photonics

ISBN

—

ISSN

0031-8949

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

"nestránkováno"

Název nakladatele

Royal Swedish Academy of Sciences

Místo vydání

Sweden

Místo konání akce

Belgrade

Datum konání akce

1. 1. 2013

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—