Growth, Structure, and Electronic Properties of Epitaxial Bismuth Telluride Topological Insulator Films on BaF2 (111) Substrates
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F13%3A10140014" target="_blank" >RIV/00216208:11320/13:10140014 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/00216224:14740/13:00066623
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1021/cg400048g" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1021/cg400048g</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1021/cg400048g" target="_blank" >10.1021/cg400048g</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Growth, Structure, and Electronic Properties of Epitaxial Bismuth Telluride Topological Insulator Films on BaF2 (111) Substrates
Popis výsledku v původním jazyce
Epitaxial growth of topological insulator bismuth telluride by molecular beam epitaxy onto BaF2 (111) substrates is studied using Bi2Te3 and Te as source materials. By changing the beam flux composition, different stoichiometric phases are obtained, resulting in high quality Bi2Te3 and Bi1Te1 epilayers as shown by Raman spectroscopy and high-resolution X-ray diffraction. From X-ray reciprocal space mapping, the residual strain, as well as size of coherently scattering domains are deduced. The Raman modes for the two different phases are identified and the dielectric functions derived from spectroscopic ellipsometry investigations. Angular resolved photoemission reveals topologically protected surface states of the Bi2Te3 epilayers. Thus, BaF2 is a perfectly suited substrate material for the bismuth telluride compounds.
Název v anglickém jazyce
Growth, Structure, and Electronic Properties of Epitaxial Bismuth Telluride Topological Insulator Films on BaF2 (111) Substrates
Popis výsledku anglicky
Epitaxial growth of topological insulator bismuth telluride by molecular beam epitaxy onto BaF2 (111) substrates is studied using Bi2Te3 and Te as source materials. By changing the beam flux composition, different stoichiometric phases are obtained, resulting in high quality Bi2Te3 and Bi1Te1 epilayers as shown by Raman spectroscopy and high-resolution X-ray diffraction. From X-ray reciprocal space mapping, the residual strain, as well as size of coherently scattering domains are deduced. The Raman modes for the two different phases are identified and the dielectric functions derived from spectroscopic ellipsometry investigations. Angular resolved photoemission reveals topologically protected surface states of the Bi2Te3 epilayers. Thus, BaF2 is a perfectly suited substrate material for the bismuth telluride compounds.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2013
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Crystal Growth and Design
ISSN
1528-7483
e-ISSN
—
Svazek periodika
13
Číslo periodika v rámci svazku
8
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
9
Strana od-do
3365-3373
Kód UT WoS článku
000323020000013
EID výsledku v databázi Scopus
—