Three-dimensional Epitaxial Si1-xGex, Ge and SiC Crystals on Deeply Patterned Si Substrates
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14740%2F14%3A00089052" target="_blank" >RIV/00216224:14740/14:00089052 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://ma.ecsdl.org/content/MA2014-02/35/1822.abstract" target="_blank" >http://ma.ecsdl.org/content/MA2014-02/35/1822.abstract</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1149/06406.0631ecst" target="_blank" >10.1149/06406.0631ecst</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Three-dimensional Epitaxial Si1-xGex, Ge and SiC Crystals on Deeply Patterned Si Substrates
Popis výsledku v původním jazyce
We have recently demonstrated for the example of Ge/Si(001) that crystal defects, wafer bowing can be avoided by combining deep substrate patterning, resulting in dense arrays of highly perfect three-dimensional epitaxial crystals. Here we discuss the extension of the method to layer/substrate combinations with lattice misfits ranging from zero for pure Si/Si(001) up to 20% for 3C-SiC/Si(001).
Název v anglickém jazyce
Three-dimensional Epitaxial Si1-xGex, Ge and SiC Crystals on Deeply Patterned Si Substrates
Popis výsledku anglicky
We have recently demonstrated for the example of Ge/Si(001) that crystal defects, wafer bowing can be avoided by combining deep substrate patterning, resulting in dense arrays of highly perfect three-dimensional epitaxial crystals. Here we discuss the extension of the method to layer/substrate combinations with lattice misfits ranging from zero for pure Si/Si(001) up to 20% for 3C-SiC/Si(001).
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2014
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
SIGE, GE, AND RELATED COMPOUNDS 6: MATERIALS, PROCESSING, AND DEVICES
ISBN
9781607685432
ISSN
1938-5862
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
18
Strana od-do
631-648
Název nakladatele
Electrochemical Society Inc.
Místo vydání
Pennington
Místo konání akce
Cancun, Mexico
Datum konání akce
5. 10. 2014
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
000356773400061