Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Three-dimensional Ge/SiGe multiple quantum wells deposited on Si(001) and Si(111) patterned substrates

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14740%2F15%3A00085353" target="_blank" >RIV/00216224:14740/15:00085353 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/30/10/105001" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/30/10/105001</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/30/10/105001" target="_blank" >10.1088/0268-1242/30/10/105001</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Three-dimensional Ge/SiGe multiple quantum wells deposited on Si(001) and Si(111) patterned substrates

  • Popis výsledku v původním jazyce

    In this work we address three-dimensional heterojunctions, demonstrating that photoluminescence from defect-free, Ge/SiGe multiple quantum well (MQW) micro-crystals grown on deeply patterned Si(001) and Si(111) substrates exhibit similar radiative intensity and analogous spectral shape.

  • Název v anglickém jazyce

    Three-dimensional Ge/SiGe multiple quantum wells deposited on Si(001) and Si(111) patterned substrates

  • Popis výsledku anglicky

    In this work we address three-dimensional heterojunctions, demonstrating that photoluminescence from defect-free, Ge/SiGe multiple quantum well (MQW) micro-crystals grown on deeply patterned Si(001) and Si(111) substrates exhibit similar radiative intensity and analogous spectral shape.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2015

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Semiconductor Science and Technology

  • ISSN

    0268-1242

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    30

  • Číslo periodika v rámci svazku

    10

  • Stát vydavatele periodika

    GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

  • Počet stran výsledku

    9

  • Strana od-do

  • Kód UT WoS článku

    000362602300009

  • EID výsledku v databázi Scopus