Three-dimensional Ge/SiGe multiple quantum wells deposited on Si(001) and Si(111) patterned substrates
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14740%2F15%3A00085353" target="_blank" >RIV/00216224:14740/15:00085353 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/30/10/105001" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/30/10/105001</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/30/10/105001" target="_blank" >10.1088/0268-1242/30/10/105001</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Three-dimensional Ge/SiGe multiple quantum wells deposited on Si(001) and Si(111) patterned substrates
Popis výsledku v původním jazyce
In this work we address three-dimensional heterojunctions, demonstrating that photoluminescence from defect-free, Ge/SiGe multiple quantum well (MQW) micro-crystals grown on deeply patterned Si(001) and Si(111) substrates exhibit similar radiative intensity and analogous spectral shape.
Název v anglickém jazyce
Three-dimensional Ge/SiGe multiple quantum wells deposited on Si(001) and Si(111) patterned substrates
Popis výsledku anglicky
In this work we address three-dimensional heterojunctions, demonstrating that photoluminescence from defect-free, Ge/SiGe multiple quantum well (MQW) micro-crystals grown on deeply patterned Si(001) and Si(111) substrates exhibit similar radiative intensity and analogous spectral shape.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2015
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Semiconductor Science and Technology
ISSN
0268-1242
e-ISSN
—
Svazek periodika
30
Číslo periodika v rámci svazku
10
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
9
Strana od-do
—
Kód UT WoS článku
000362602300009
EID výsledku v databázi Scopus
—