Three-dimensional Ge/SiGe multiple quantum wells deposited on Si(001) and Si(111) patterned substrates

Kód výsledku v IS VaVaI

RIV/00216224:14740/15:00085353 - isvavai.cz

Výsledek na webu

http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/30/10/105001

DOI - Digital Object Identifier

10.1088/0268-1242/30/10/105001

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Three-dimensional Ge/SiGe multiple quantum wells deposited on Si(001) and Si(111) patterned substrates

Popis výsledku v původním jazyce

In this work we address three-dimensional heterojunctions, demonstrating that photoluminescence from defect-free, Ge/SiGe multiple quantum well (MQW) micro-crystals grown on deeply patterned Si(001) and Si(111) substrates exhibit similar radiative intensity and analogous spectral shape.

Název v anglickém jazyce

Three-dimensional Ge/SiGe multiple quantum wells deposited on Si(001) and Si(111) patterned substrates

Popis výsledku anglicky

In this work we address three-dimensional heterojunctions, demonstrating that photoluminescence from defect-free, Ge/SiGe multiple quantum well (MQW) micro-crystals grown on deeply patterned Si(001) and Si(111) substrates exhibit similar radiative intensity and analogous spectral shape.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Semiconductor Science and Technology

ISSN

0268-1242

e-ISSN

—

Svazek periodika

30

Číslo periodika v rámci svazku

10

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

9

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000362602300009

EID výsledku v databázi Scopus

—