Optical functions of silicon from reflectance and ellipsometry on silicon-on-insulator and homoepitaxial samples

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14740%2F15%3A00086016" target="_blank" >RIV/00216224:14740/15:00086016 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://scitation.aip.org/content/aip/journal/jap/118/19/10.1063/1.4936126" target="_blank" >http://scitation.aip.org/content/aip/journal/jap/118/19/10.1063/1.4936126</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.4936126" target="_blank" >10.1063/1.4936126</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Optical functions of silicon from reflectance and ellipsometry on silicon-on-insulator and homoepitaxial samples

Popis výsledku v původním jazyce

The optical properties of silicon have been determined from 0.2 to 6.5 eV at room temperature, using reflectance spectra of silicon-on-insulator (SOI) and ellipsometric spectra of homoepitaxial samples. Optimized Fabry-Perot-type SOI resonators exhibit high finesse even in near ultraviolet. Very high precision values of the real part of the refractive index are obtained in infrared up to a photon energy of 1.3 eV. The spectra of the extinction coefficient, based on observations of light attenuation, extend to 3.2 eV due to measurements on SOI layers as thin as 87 nm. These results allowed us to correct spectroellipsometric data on homoepitaxial samples for the presence of reduced and stabilized surface layers.

Název v anglickém jazyce

Optical functions of silicon from reflectance and ellipsometry on silicon-on-insulator and homoepitaxial samples

Popis výsledku anglicky

The optical properties of silicon have been determined from 0.2 to 6.5 eV at room temperature, using reflectance spectra of silicon-on-insulator (SOI) and ellipsometric spectra of homoepitaxial samples. Optimized Fabry-Perot-type SOI resonators exhibit high finesse even in near ultraviolet. Very high precision values of the real part of the refractive index are obtained in infrared up to a photon energy of 1.3 eV. The spectra of the extinction coefficient, based on observations of light attenuation, extend to 3.2 eV due to measurements on SOI layers as thin as 87 nm. These results allowed us to correct spectroellipsometric data on homoepitaxial samples for the presence of reduced and stabilized surface layers.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/ED1.1.00%2F02.0068" target="_blank" >ED1.1.00/02.0068: CEITEC - central european institute of technology</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Applied Physics

ISSN

0021-8979

e-ISSN

—

Svazek periodika

118

Číslo periodika v rámci svazku

19

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000367722400036

EID výsledku v databázi Scopus

—